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第三代半导体材料行业行动计划

行业发展实施规划

目录

一、坚持原则.3

二、指导路线.3

三、产业环境分析.4

四、区域环境分析.6

五、目标规划.13

六、保障方案.13

重点项目分析：xx项目16

重点项目分析：xx项目21

重点项目分析：xx项目26

为加快区域产业结构调整和优化升级，依据国家和xx省产业发展

规划，结合区域产业xx年发展情况，制定该规划，请结合实际情况认

真贯彻执行。

第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度

≥2.3电子伏特(eV)，又被称为宽禁带半导体材料。在第三代半导体材

料中，目前发展较为成熟的是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），这两

种材料是当下规模化商用最主要的选择。

现阶段，相关产业依托巨大的市场需求，应对经济全球化的新变

化，继续保持强劲的增长势头，行业发展总体水平有了较大提高，基

本实现了上一阶段产业规划确定的主要发展目标。

一、坚持原则

1、产业联动，协同发展。统筹协调产业与关联产业联动发展，培

育关联生产性服务业，促进产业成链发展，提升产业发展水平，增强

行业发展的整体性和协调性，扩大高端产品服务供给，加快产业和产

品向价值链中高端跃升。

2、加强引导，市场推动。完善法规和标准，规范产业市场主体行

为，建立公平的市场环境；综合运用价格、财税、金融等经济手段，

发挥市场配置资源的决定性作用，激发企业发展的内生动力。

3、因地制宜，示范引领。着眼区域实际，充分考虑经济社会发展

水平，逐步研究制定适合区域特点的能效标准。制定合理技术路线，

采用适宜技术、产品和体系，总结经验，开展多种示范。

二、指导路线

全面贯彻落实科学发展观，加快转变发展方式，立足区域需求。

坚持以产业转型升级为主线，以自主创新为动力，以结构调整为核心，

优化产业结构。

三、产业环境分析

第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、金刚石等，因其禁带宽度

≥2.3电子伏特(eV)，又被称为宽禁带半导体材料。在第三代半导体材

料中，目前发展较为成熟的是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），这两

种材料是当下规模化商用最主要的选择。

与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽

的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率

及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、大功率及抗辐射器

件，可广泛应用在高压、高频、高温以及高可靠性等领域，包括射频

通信、雷达、卫星、电源管理、汽车电子、工业电力电子等。

GaN器件主要包括射频器件、电力电子功率器件、以及光电器件三

类。GaN的商业化应用始于LED照明和激光器，其更多是基于GaN的直

接带隙特性和光谱特性，相关产业已经发展的非常成熟。射频器件和

功率器件是发挥GaN宽禁带半导体特性的主要应用领域。SiC主要应用

于功率器件。SiC能大大降低功率转换中的开关损耗