原创力文档- 1、本文档共19页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
半导体物理与器件题库
目录
半导体物理与器件题库
填空题
简答分析题
名词解释
计算题
第一篇习题半导体中的电子状态
第二篇习题-半导体中的杂质和缺陷能级
第二篇题解
第三篇习题半导体中载流子的统计分布
第三篇题解半导体中载流子的统计分布
第四篇习题-半导体的导电性.
第四篇题解-半导体的导电性.
第五篇习题-非平衡载流子.
第五篇题解-非平衡载流子.
填空题
1．固体材料可以分为晶体和非晶体两大类，它们之间的主要区别是。
2．纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放电子。这种杂质称施主杂质；相应的半导体称N型半导体。
3．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射。前者在电离施主或电离受主形成的库伦势
场下起主要作用，后者在温度高下起主要作用。
4．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做扩散运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做漂移运动。
5．对n型半导体，如果以E和E的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准，那末，为非简并条件；为弱
FC
简并条件；简并条件。
6．空穴是半导体物理学中一个特有的概念，它是指：；
7．施主杂质电离后向带释放，在材料中形成局域的电中心；受主杂质电离后带释放，在材料中形成电中
心；
8．半导体中浅能级杂质的主要作用是；深能级杂质所起的主要作用。
9.半导体的禁带宽度随温度的升高而__________；本征载流子浓度随禁带宽度的增大而__________。
10.施主杂质电离后向半导体提供，受主杂质电离后向半导体提供，本征激发后向半导体提供。
11.对于一定的n型半导体材料，温度一定时，较少掺杂浓度，将导致靠近Ei。
12.热平衡时，半导体中电子浓度与空穴浓度之积为常数，它只与和有关，而与、
无关。
A.杂质浓度B.杂质类型C.禁带宽度D.温度
12.指出下图各表示的是什么类型半导体？
2
13．np=n标志着半导体处于平衡状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积np改变否？不变；当温度变化时，np
ooioooo
改变否？改变。
14．非平衡载流子通过复合作用而消失，非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命τ，寿命τ与复合中心在禁
带中的位置密切相关，对于强p型和强n型材料，小注入时寿命τn为，寿命τp为.
15．迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，扩散系数是反映有浓度梯度时载流子运动难易程度的物理量，联
DkT
系两者的关系式是n=0，称为爱因斯坦关系式。
q
n
16．半导体中的载流子
文档评论（0）