现代半导体器件及先进制造智慧树知到答案章节测试2023年浙江大学.pdfVIP

第一章测试

1.本征硅的费米能级位于：（）

A:

B:

C:略偏向

D:略偏向

答案:C

2.硼掺杂的硅中，下列说法正确的是：（）

A:空穴浓度大于电子浓度

B:硅的晶体结构将发生改变

C:与磷掺杂硅的导电类型一致

D:电子浓度大于空穴浓度

答案:A

3.抑制离子注入工艺中沟道效应的方法有（）。

A:降低离子注入能量

B:衬底表面沉积非晶薄膜

C:倾斜衬底

D:升高衬底温度

答案:BCD

4.制造单晶硅衬底的方法包括（）。

A:直拉法

B:氧化还原法

C:区域熔融法

D:外延生长法

答案:AC

5.当硅中掺杂浓度越小时，费米能级越靠近Ei。（）

A:对

B:错

答案:A

第二章测试

1.对于长沟道MOSFET器件，发生夹断后，下面说法中正确的是（）。

A:Vg≥Vd+Vth

B:沟道中漏极一侧的电位为0

C:Vg继续增加，Id不会继续增大

D:

答案:ABC

2.沟道长度缩短有可能对MOSFET器件产生哪些影响（）。

A:阈值电压增大

B:器件的漏极电流增大

C:器件的集成度增加

D:器件的可靠性劣化

答案:BCD

3.有关MOSFET器件亚阈值摆幅（S）的说法错误的是（）

A:亚阈值摆幅的单位是mV

B:

C:

D:温度升高，亚阈值摆幅增大

答案:A

4.有关MOSFET器件特征长度的说法正确的是（）

A:仅与器件的结构参数有关

B:栅氧化层介电常数越厚，特征长度越小

C:沟道长度相等的器件，特征长度越小，DIBL越小

D:与器件的沟道长度呈正比

答案:C

5.MOSFET器件的阈值电压实际上是栅极MOS电容强反型区的起点。（）

A:错

B:对

答案:B

第三章测试

1.下面有关浸没式光刻技术的说法，正确的是（）

A:能够减小光的波长

B:在目镜和衬底间填充水

C:能够增大物镜的数值孔径

D:由台积电的工程师林本坚发明

答案:ACD

2.相移光刻技术中，使光产生相位差的方法包括：（）

A:在掩膜板上的透光区域中添加移相器

B:减小未沉积铬区域的石英板厚度

C:改变石英掩膜板的倾斜角

D:利用整面透光的石英板，改变局部区域的厚度

答案:ABD

3.根据瑞利判据得到的光刻分辨率极限，表达式为（）

A:

B:

C:

D:

答案:C

4.正光刻胶和负光刻胶中，光敏剂的作用分别是（）

A:交联催化剂，交联催化剂

B:交联催化剂，提供自由基

C:提供自由基，提供自由基

D:提供自由基，交联催化剂

答案:D

5.光刻是集成电路制造过程中总成本最高的工艺。（）

A:对

B:错

答案:A

第四章测试

1.有关半导体中载流子有效质量的说法正确的是（）

A:受到半导体晶格周期性势场的影响

B:电子和空穴可能具有不同的有效质量

C:与载流子的惯性质量在数值上相等

D:具有一定的概率分布

答案:AB

2.张应变和压应变影响硅沟道中载流子迁移率的共同原因有（）

A:减小载流子有效质量

B:增加能级分裂，抑制能谷散射

C:抑制界面态的库伦散射作用