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摘要
BiSe作为一种常被应用到半导体器件中的三维拓扑绝缘体材料,具有高电导率,
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良好的光学透明性和高耐久性等优点。目前研究发现,通过对BiSe进行p型掺杂可
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以大幅提升电子传输性质和光学性能,从而扩大应用范围。由此可见,对BiSe
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