MOSFET封装结构及其晶圆级制作方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN105552053A

(43)申请公布日2016.05.04

(21)申请号CN201610098995.9

(22)申请日2016.02.23

(71)申请人华天科技(昆山)电子有限公司;磊曜微电子(上海)股份有限公司

地址215300江苏省苏州市昆山市开发区龙腾路112号

(72)发明人于大全耿增华翟玲玲崔磊沈歆煜

(74)专利代理机构昆山四方专利事务所

代理人盛建德

(51)Int.CI

H01L23/485

H01L21/60

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

MOSFET封装结构及其晶圆级制作

方法

(57)摘要

本发明公开了一种MOSFET封装

结构及其晶圆级制作方法，该封装结构包

括芯片，该芯片具有源极、栅极、漏极区

及重掺杂区，源极和栅极分别电性连接芯

片上表面的第一导电体和第二导电体，漏

极区内形成有延伸到重掺杂区的至少一孔

或槽，孔或槽内壁上铺有金属层，金属层

连接芯片上表面的第三导电体，作为漏

极。这样，可将垂直结构的MOSFET下表

面重掺杂区的电流引至MOSFET的上表

面，实现了源极、栅极、漏极在同一侧

面，以便进行晶圆级封装，且槽内大面积

金属层保证了芯片良好的散热效果；槽内

的金属层与连接源极、栅极的焊盘或者金

属线路层可同时形成，避免将晶圆背面金

属化，简化了工艺步骤，降低封装成本。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

未缴年费专利权终止IPC(主分

类):H01L23/485专利

2023-02-28号:ZL2016100989959申请专利权的终止

日权公告

日

权利要求说明书

1.一种MOSFET封装结构，其特征在于，包括一芯片(100)，该芯片具有靠近其上

表面的源极(101)、栅极(102)和漏极区(A)，所述栅极与所述源极、所述漏极区之间

绝缘隔离，该芯片具有靠近其下表面的重掺杂区(103)；所述漏极区内形成有至少

一个孔或槽(201)，所述孔或槽的底部自芯片上表面向下表面延伸至所述重掺杂区，

所述孔或槽内铺设有金属层(501)，所述金属层与所述芯片之间形成欧姆接触，所

述源极的电性引出至所述芯片上表面形成的第一导电体(601)，所述栅极的电性引

出至所述芯片上表面形成的第二导电体(602)，所述孔或槽内金属层的电性引出至

所述芯片上表面形成的第三导电体(603)。

2.根据权利要求1所述的MOSFET封装结构，其特征在于，所述孔或槽为直孔或

直槽，或者为至少一侧壁有一定的倾斜角度的斜孔或斜槽。

3.根据权利要求1所述的MOSFET封装结构，其特征在于，所述孔或槽的底部深

入到所述重掺杂区至少1微米。

4.根据权利要求1所述的MOSFET封装结构，其特征在于，所述金属层与所述重

掺杂区接触的总面积不小于所述芯片上表面面积的20％。

5.根据权利要求1所述的MOSFET封装结构，其特征在于，所述孔或槽上铺设的

金属层为单层金属结构或多层金属结构，金属材质为钛、铝、钨、钯、铜、镍、金

中的一种。

6.根据权利要求1所述的MOSFET封装结构，其特征在于，所述金属层完全填满

所述孔或槽，或