一种半导体器件电容结构及其制作方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN111200061A

(43)申请公布日2020.05.26

(21)申请号CN201911327244.X

(22)申请日2019.12.20

(71)申请人厦门市三安集成电路有限公司

地址361000福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

(72)发明人林鑫王勇魏鸿基

(74)专利代理机构厦门市首创君合专利事务所有限公司

代理人张松亭

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种半导体器件电容结构及其制作

方法

(57)摘要

本发明公开了一种半导体器件电容

结构及其制作方法，是在半导体基底上依

次形成下极板和介电质层后，先形成第一

金属层，再依次覆盖第一保护层和绝缘层

后，依次蚀刻第一金属层顶部的绝缘层和

第一保护层形成电容通孔，再形成第二保

护层覆盖绝缘层表面及电容通孔内壁，然

后制作第二金属层，第二金属层通过电容

通孔与第一金属层接触以形成上极板，通

过本发明的设置改善电容中电荷集中区域

的结构，避免三种材料交界，减少应力作

用，有效隔离制作过程中和使用过程中的

水汽等污染，提高可靠度以及器件使用寿

命。本发明的方法工艺步骤少，成本低。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2023-03-17授权发明专利权授予

权利要求说明书

1.一种半导体器件电容结构的制作方法,其特征在于包括以下步骤:

1)于一半导体基底的预设区域上形成下极板金属层;

2)沉积电容介电质层;

3)于下极板金属层上方形成第一金属层;

4)沉积第一保护层;

5)涂覆有机物绝缘材料形成绝缘层;

6)依次去除所述第一金属层顶部的绝缘层和第一保护层,形成电容通孔;

7)沉积第二保护层,去除所述电容通孔底部的第二保护层;

8)于所述电容通孔之内形成第二金属层,所述第二金属层与所述第一金属层相接触

并构成上极板金属层。

2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:所述第一金属层的材料是

Ti/Pt/Au/Ti叠层,通过蒸镀或溅镀形成。

3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:所述第一保护层的材料是与所述电

容介电质层或所述介电质层表层相同的绝缘材料。

4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:步骤6)中,所述绝缘层和所述第一保

护层在同一道光阻下进行蚀刻形成所述电容通孔。

5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于:步骤6)中,通过涂布光阻,进行曝光和

显影形成预设蚀刻窗口,首先通过干法蚀刻去除所述预设蚀刻窗口之内的绝缘层,然

后通过干法蚀刻去除所述预设蚀刻窗口之内的第一保护层形成第一开口,最后通过

干法蚀刻侧向蚀刻所述绝缘层至所述绝缘层的开口大于所述第一开口,从而形成所

述电容通孔,然后去除光阻。

6.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于:所述绝缘层的蚀刻剂是O

2

,所述第一保护层的蚀刻剂是SF

6

。

7.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:所述第二保护层的材料是氮化硅。

8.根据权利要求1或7所述的制作方法,其特征在于:所述第二保护层的厚度是

200~500nm。

9.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于:所述第二金属层通过溅镀与电镀工

艺形成,厚度为1000nm-5000nm。

10.一种由权利要求1~9任一项所述方法制作的半导体器件电容结构。

说明书

p技术领域

本发明涉及电容结构,特别是涉及一种高可靠性的半导体器件电容结构及其制作方

法。

背景技术

随着设备技术的发展,化合物半导体的工艺能力越来越高,对于三极管等主动元器件

的可靠度的控制能力越来越强。随之而来的被动