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CRSZ008N06N4Z
华润微电子(重庆)有限公司SkyMOS4N-MOSFET60V,0.55mΩ,360A
FeaturesProductSummary
•UsesCRM(CQ)advancedSkyMOS4technologyVDS60V
•Extremelylowon-resistanceRDS(on)RDS(on).typ0.55mΩ
•ExcellentQxRproduct(FOM)ID360A
gDS(on)
•QualifiedaccordingtoJEDECcriteria
100%DVDSTested
Applications100%AvalancheTested
•Motorcontrolanddrive
•BatterymanagementSystem
•UPS(UninterrupiblePowerSupplies)
CRSZ008N06N4Z
PackageMarkingandOrderingInformation
Part#MarkingPackagePackingReelSizeTapeWidthQty
CRSZ008N06N4ZSZ008N06N4ZTOLLTapeReelN/AN/A2000pcs
AbsoluteMaximumRatings
ParameterSymbolValueUnit
Drain-sourcevoltageVDS60V
Continuousdraincurrent
T=25°C(Siliconlimit)460
C
IDA
T=25°C(Packagelimit)360
C
T=100°C(Siliconlimit)
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