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微波场板GaNHEMTs大信号特性及其模型研究

汪昌思;徐跃杭;闻彰;陈志凯;赵晓冬;徐锐敏

【摘要】针对栅、源两种场板氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs),提出了

一种包含非线性热网络的电热大信号模型.该模型基于电热耦合理论,采用有限元电

热仿真方法,提取了两种场板器件的热阻和热容参数,建立了与功耗相关的非线性热

网络,并嵌入到改进的Angelov经验模型中;分析了场板结构对微波小信号特性和大

信号负载阻抗的影响等.在片测试及仿真结果表明,针对两种场板GaNHEMTs器件,

在0～40GHz频带内,该模型能较精确地预测S参数、输出功率(Pout)、增益

(Gain)和功率附加效率(PAE)等参数;为成功地完成电路设计,提供了较为精确的电热

大信号模型.%Anelectro-thermallarge-signalmodelincludinganonlinear

thermalnetworkforGalliumNitridehighelectronmobilitytransistors(GaN

HEMTs)withgateandsourcefieldplatesispresentedinthispaper.This

modelincludingthenonlinearthermalnetworkwithrespecttopower

dissipationisembeddedintheimprovedAngelovmodel.Basedonthe

electro-thermalprinciple,thethermalresistanceandcapacitanceforthe

twofieldplatesofthedevicesareidentifiedbyutilizingtheelectro-

thermalfiniteelementmethod(FEM)simulations.Andthecharacteristicsof

smallsignalandloadimpedanceforthetwodeviceswithdifferentfield

plateshavebeenanalyzedinmicrowavefrequencyrange.Accurate

predictionsofthequiescentcurrents,S-parametersupto40GHz,and

large-signalharmonicperformanceforthedeviceswithdifferentgate

peripherieshavebeenachievedbytheproposedmodel.

【期刊名称】《电子科技大学学报》

【年(卷),期】2017(046)003

【总页数】7页(P485-491)

【关键词】场板;氮化镓;大信号模型;自热效应;热阻

【作者】汪昌思;徐跃杭;闻彰;陈志凯;赵晓冬;徐锐敏

【作者单位】电子科技大学电子工程学院成都611731;电子科技大学电子工程学

院成都611731;电子科技大学电子工程学院成都611731;电子科技大学电子工程

学院成都611731;电子科技大学电子工程学院成都611731;电子科技大学电子工

程学院成都611731

【正文语种】中文

【中图分类】TN304.2

GaNHEMTs具有功率密度大、电子迁移率高、耐高温等优势，正被广泛应用于微

波毫米波通信与雷达系统中[1-2]。为进一步提高GaNHEMTs的功率密度，在器

件中引入各种场板结构成为目前研究的重点[3-5]。例如，通过将栅极向栅漏区域

延伸，形成栅场板结构(gate-fieldplate,G-FP)，它调制了栅极下电场分布，减小

了栅极下面靠近漏端的峰值电场强度，使得场板GaNHEMTs的击穿电压提高到

1.9KV[3]，功率密度超过40W/mm[4]。然而，栅场板也会增大寄生效应、栅电

容及耗尽层长度，引起器件的增益下降，因此往往需要在击穿电压和增益之间折中