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半导体物理基础
(ElementarySemiconductor
Physics)
第一章半导体的一般特性
(Chapter1BasicSemiconductorProperties)
1导电性
（1）电导率介于导体与绝缘体之间
Conductor104~105s·cm-1
Insulator10-18~10-10s·cm-1
Semiconductor10-10~104s·cm-1
（2）两种载流子参于导电
（3）与温度、光照、湿度等密切相关
（4）与掺杂有关
2SemiconductorMaterials
（1）classifiedas
Elemental（元素）
Compounds（化合物）
Alloys（合金）
•指两种或多种金属混合，形成某种化合物
（2）Crystalstructure
DiamondlatticeZincblendelattice(闪锌矿晶格)
(金刚石晶格)ZnS、GaAs、InP、CuF、SiC、
CuCl、AlP、GaP、ZnSe、、AlAs、
Si、Ge…..CdS、InSb和AgI
（3）MillerIndices
(236)
B：(101)
A:(201)
或(201)
等效晶面
100
（4）Interplanarspacing
（hkl）planes：
a—Latticeconstant
（5）theangleθbetween[h1k1l1]and[h2k2l2]:
3EnergyBandTheory
(1)GeneralConsideration
•Nearlyfreeelectronmodel
•Tight-bindingmodel
对称性E（k）=E（-k）
周期性
（2）Constant-EnergySurface
（3）BrillouinZones
FirstBrillouinzonesformaterialscrystallizinginthediamond
andzineblendelattices.
(4)Ge,Si,andGaAs~EnergyBand
测m*
◆Cyclotronresonanceexperiments
（回旋共振实验）m*能带结构
电子的初速度为v,在恒定磁场（B）中：
v//
B
v┴θ
fv
r
若等能面是椭球面，沿kx、ky、kz方向有效质量分别为：
设B沿kx、ky、kz轴的方向余弦分别为：a、B、y
那么：
其中：
以硅为例：
（1）B沿[111]方向，观察到一个吸收峰。
（2）B沿[110]方向，观察到两个吸收峰。
（3）B沿[100]方向，观察到两个吸收峰。
（4）B沿任意轴方向，观察到三个吸收峰。
硅导带底附近等能面是沿{100}方向的旋转椭球面。
硅导带底附近等能面
是100方向的旋转
椭
球面。
分析：
设：[001]适当选取坐标，使B位于k1-k2平面
内：
k3
B
θα=sinθβ
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