太阳能电池刻蚀.pptxVIP

太阳能电池生产

之

刻蚀去PSG;目录;一、刻蚀的作用及方法

〔一〕太阳电池生产流程：

硅片生产线电池生产线组件生产线

刻蚀作为太阳能电池生产中的N型

第三道工序其主要作用就是

去除扩散后硅片四周的N型硅，

防止漏电。

去PSG顾名思义就是去除扩散工P型

序产生的磷硅玻璃层。反映方程

式如下：扩散后硅片P的分布

SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O;什么是PSG

意为含有P、P2O5的二氧化硅，由于在扩散过程中干氧的通入，在硅片外表形成一层二氧化硅，在高温下POCL3与O2形成P2O5后，局部P原子进入Si取代局部晶格上的Si原子形成N型层，局部那么留在了SiO2中形成PSG

PSG的影响

1、磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中外表容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减。

2、死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了Voc和Isc。

;〔二〕刻蚀的制作方法：

目前晶体硅太阳能电池一般采用干法和湿法两种刻蚀方法。

1、干法刻蚀原理

干法刻蚀是采用高频辉光放电反响，使反响气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反响，形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌〔这是各向同性反响〕。

2、湿法刻蚀原理

通过化学反响，由滚轮的携带药液在硅片非绒面刻蚀，经过一次硅片180°的旋转从而形成一个刻痕，将所处位置的PN结刻断，以到达正面与反面绝缘的目的，同时进行选择性的刻蚀将扩散深的PN结变成一定深度的浅PN结，最后经过HF酸槽去除扩散工序产生的磷硅玻璃层。

大致的腐蚀机制是HNO3氧化生成SiO2，HF再去除SiO2。下面为化学反响式：

〔水在张力的作用下吸附在硅片外表〕

3Si+4HNO3+18HF3H2SiF6+4NO+8H2O

3Si+4HNO33SiO2+4NO+2H2O

SiO2+4HFSiF4+2H2O

SiF4+2HFH2SiF6;二、刻蚀的工艺设备、操作流程及常用化学品

〔一〕刻蚀的工艺设备：

SCHMID刻蚀机;〔二〕湿法刻蚀的流程及常用化学药品

槽体布局及工艺：

上片操作方向带速1.58m/min

;〔三〕设备工作及工艺原理

M1：硅片首先经过1#模组的水流，水流将绒面覆盖，方才进入2#模组，目的是防止酸腐蚀绒面；

M2：通过化学反响，由滚轮的携带药液在硅片非绒面刻蚀，经过一次硅片180°的旋转从而形成边缘刻痕，将所处位置的PN结刻断，以到达正面与反面绝缘的目的；

M3：清洗；

M4：通过KOH溶液去除硅片外表的多孔硅，并将从刻蚀模组中携带的未冲洗干净的酸除去；

M5：清洗；

M601：利用HF将硅片正面的磷硅玻璃层去除；

M602：抛光硅片下外表，使能与铝背场形成好的欧姆接触；

M7：清洗；;M8：烘干，它是通过两台空气压缩泵，通过两次过滤〔粗过滤、细过滤〕，最终送到两组风刀中对硅片进行烘干，空气最终温度可到达40度，它的工作原理是一个物理变化过程，就是气体分子之间的距离由小变大的过程，也就是一个散热的过程；

M9：检测出片;〔四〕常用化学品的物理化学性质;〔五〕影响工艺的因素及调试方法;三、主要检测工程及标准

1、新换药液后需等到槽温实际值到设定值时方可进行投产〔如药液温度，M8烘干温度，液面高度，电导率等〕即电脑屏幕显示正常的绿色时。

2、批量投产前需先投入测试片，以观察实际腐蚀深度。当工艺稳定后每两小时进行一次腐蚀量测试，具体测量方式如下：

先利用电子天平称量一片腐蚀前的重量，将此重量填写在工序腐蚀深度记录表中，同时记录好日期、班次、称重时间、传送速度，然后投入腐蚀槽运行工艺。刻蚀后取出此称重片再称量腐蚀后硅片的重量，填入表格，利用电子表格的公式直接求出腐蚀深度值。注：前后两次称量前都要将电子天平置于零，且称量中要关好天平两侧的小门。

硅片单面腐蚀深度平均值为2.1±0.