DC-DC变换器总结 _原创精品文档.pdfVIP

DC-DC电路总结

首录：名词解释

IGBT：(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双

极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导

体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱

和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，

但导通压降大，载流密度小。

GTR：（GiantTransistor）电力晶体管也称巨型晶体管，是一种电流控制的双极

双结大功率、高反压电力电子器件，具有自关断能力。它既具备晶体管饱和压降

低、开关时间短和安全工作区宽等固有特性，又增大了功率容量，因此，由它所

组成的电路灵活、成熟、开关损耗小、开关时间短，在电源、电机控制、通用逆

变器等中等容量、中等频率的电路中应用广泛。GTR的缺点是驱动电流较大、耐

浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏。在开关电源和UPS内，GTR正逐步被功

率MOSFET和IGBT所代替。

SCR:(SiliconControlledRectifier)是可控硅整流器的简称。可控硅有单向、

双向、可关断和光控几种类型。它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制

方便等优点，被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制

和大功率的电能转换的场合。

GTO:(gateturn-offthyristor)门极可断晶闸管，是一种具有自断能力的晶闸

管。处于断态时，如果有阳极正向电压，在其门极加上正向触发脉冲电流后，GTO

可由断态转入通态，已处于通态时，门极加上足够大的反向脉冲电流，GTO由通

态转入断态。由于不需用外部电路强迫阳极电流为0而使之关断，仅由门极加脉

冲电流去关断它；所以在直流电源供电的DC—DC，DC—AC变换电路中应用时不

必设置强迫关断电路。这就简化了电力变换主电路，提高了工作的可靠性，减少

了关断损耗，与SCR相比还可以提高电力电子变换的最高工作频率。因此，GTO

是一种比较理想的大功率开关器件。

MOSFET:(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)简称金氧半

场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧

化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型

与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P

型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅

极（G）。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流

小。

LPF:(LowestPossibleFrequency）低通滤波器，顾名思义，就是让低频信号通

过，阻止高频信号通过。低通滤波器一般用于去掉输入信号中不必要的高频成分，

去除高频干扰。

一，BUCK电路（降压）

经典buck电路

t[0,DT]

其中IGBT可换为GTR，GTO,MOSFET。时，开关管导通

D为续流二极管

1

C1和L1组成LPF

当t[0,DT]时,控制信号使得T导通,D截止,向L0充磁,向C0充电

当t[DT,T]时,T截止,D续流,U0靠C0放电和L0中电流下降维持

输出电压电流：

1

IIUDU

0Dd0d

电感电容

RDTDU

L00HC0H0

0km2OM8Lf2U

00

D最大时，为D。C最大时C，同理L

OOHOOMOKM

二，BOOST电路（升压）

经典BOOST电路

2

PIRR