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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN103890854A
(43)申请公布日2014.06.25
(21)申请号CN201280021240.9
(22)申请日2012.03.21
(71)申请人国际商业机器公司
地址美国纽约
(72)发明人D·W·阿布拉汗N·N·莫于穆德尔D·C·沃莱吉
(74)专利代理机构北京市中咨律师事务所
代理人于静
(51)Int.CI
G11C11/00
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
磁振子磁随机存取存储器器件
(57)摘要
提供了一种用于双向写入的机制。
一种结构包括在隧道势垒顶上的参考层、
在隧道势垒之下的自由层、在自由层之下
的金属隔离物、在金属隔离物之下的绝缘
磁体以及在绝缘层之下的高电阻层。高电
阻层作为加热器，其中加热器加热绝缘磁
体以产生自旋极化电子。绝缘磁体产生的
自旋极化电子使自由层的磁化不稳定化。
当磁化被不稳定化时，施加电压以改变自
由层的磁化状态。电压的极性确定何时自
由层的磁化平行和反平行于参考层的磁
化。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种用于磁随机存取存储器（MRAM）器件的双向写入的方法，
所述器件具有参考层、邻近所述参考层的隧道势垒、邻近所述隧道势垒的
自由层、邻近所述自由层的金属隔离物、邻近所述金属隔离物的绝缘
磁体以及邻近所述绝缘磁体的金属加热器，所述方法包括：
响应于热梯度使所述绝缘磁体产生自旋极化电子；
通过从所述绝缘磁体产生的所述自旋极化电子开始所述自由层的磁化
的不稳定化；以及
在开始所述不稳定化之后，向所述MRAM器件施加电压，以选择所
述自由层的所述磁化。
其中所述电压的极性确定所述自由层的磁化是平行还是反平行于所述
参考层的磁化。
2.根据权利要求1的方法，其中当所述电压的所述极性为正时，所述
自由层的所述磁化翻转以具有一个磁化取向；并且
其中当所述电压的所述极性为负时，所述自由层的所述磁化翻转以具
有另一磁化取向；
3.根据权利要求1的方法，其中通过从所述绝缘磁体产生的所述自旋
极化电子开始所述自由层的所述磁化的不稳定化包括：
向所述金属加热器供能以便使所述热梯度从所述高电阻层穿过所述绝
缘磁体、所述金属隔离物流动到所述自由层中；
其中所述热梯度产生所述自旋极化电子，所述自旋极化电子具有使所
述自由层的所述磁化不稳定化的角动量。
4.根据权利要求3的方法，其中所述自由层的所述磁化在没有不稳定
化自旋转移矩时是面外的；
其中所述绝缘磁体的磁化是面内的；以及
其中由于所述自由层的所述磁化是面外的，所述自旋极化电子的所
述角动量使所述自由层的所述磁化不稳定化。
5.一种磁随机存取存储器器件，包括：
邻近隧道势垒的参考层、邻近所述隧道势垒的自由层、邻近所述自由
层的金属隔离物、邻近所述金属隔离物的绝缘磁体以及邻近所述绝缘层的
金属加热器。
其中，响应于热梯度，配置所述绝缘磁体以产生自旋极化电子；
其中所述绝缘磁体产生的所述自旋极化电子使所述自由层的磁化不稳
定化；
其中当所述自由层的所述磁化被不稳定化时，向所述MRAM器件施
加的电压改变所述自由层的所述磁化。
其中所述施加的电压的极性确定所述自由层的所述磁化是平行还是反
平行于所述参考层的磁化。
6.根据权利要求5的器件，其中当所述施加的电压的所述极性
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