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电子电路设计与方案

基于STM32的非接触式静电电位测量系统设计

杨林鹏，董纯

（北京东方计量测试研究所，北京，100094）

摘要：针对静电防护工程中对静电电位实时测量的需求，本文设计了以32位CORTEX-M4内核STM32F429微处理器为主控器件的非接触式

静电电位测量系统，具有可靠性高、功耗低、测试距离可变、环境适应性强等优点，同时消除了因测试距离引起的系统测量误差。在静

电防护工程中具有一定的应用价值，适合于对EPA等场所静电电位的长期监测。试验结果表明，在0~5000V范围内，系统测量不确定度

优于10%。

关键词：STM32；非接触；静电测量

0引言主要由接地屏蔽电极和正负电极交替分布的感应电极组成。

屏蔽电极通过驱动部件水平往复运动，周期性遮蔽被测表面

静电现象广泛地存在于人们的生产和生活中[1]。静电一

与传感器之间的电场，使得感应电极与屏蔽电极之间的电容

方面可以被广泛应用于复印、除尘、植绒等领域，另一方

值发生周期性变化，从而使得感应电极上电荷量发生变化，

面在航空航天、石油化工、集成电路等行业都被视为严重

最终在正负感应电极上分别产生与被测物体电位成正比的

威胁。静电电位作为静电防护工程中的关键测量指标之一，

相位相反、幅度相等的交变感应电流信号，之后通过I/V转

反映了静电危害源储存的静电能量大小及其潜在危害程度，

换电路输出与被测物体电位成正比的电压信号。

不仅能够为防护工作设计和改善产品自身抗静电性能提供[5]

依据，还可以作为静电防护器材的抗静电性能以及静电防护

措施的评价标准。因此，在防静电工作区(Electrostatic

[2]

ProtectionArea,EPA）等场所对静电电位进行实时测量或

监测具有重要的现实意义。

静电电位测量设备按照是否接触被测带电体可以分为

1MEMS电场图传感器结构示意图

接触式和非接触式两种。由于非接触式测量的测量对象和使

■1.2系统总体设计

用场景更广，不仅能用于导体和绝缘体的测量，还能用于易

系统总体设计框图如图2所示，系统由STM32主控

燃、易爆等特殊场所，因此得到了更为广泛的应用。但是，

系统、MEMS电场传感器、激励信号发生模块、信号调理

非接触式静电电位测量结果受测试距离影响较大，而且产品

与转换模块、距离测量模块以及按键/显示等部分组成。

成本较高、功耗较大，不利于实现对静电电位的长期监测。

STM32F429微处理器作为主控芯片通过SPI接口控制

通过采用STM32F429微处理器和超声波测距传感器，

AD9834直接数字合成(DDS)芯片产生两路幅值相等、相位

设计了一种适合于EPA等场所静电电位长期监测的非接触

相差