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半导体器件分立器件–场效应晶体管

引言

场效应晶体管（Field-EffectTransistor，FET）是一种关键的半导体分立器件，

广泛应用于电子电路中。它具有速度快、功耗低、噪声小等优势，被广泛应用于放

大、开关、调节等电路中。本文将介绍场效应晶体管的基本原理、构造和工作方式，

并分析其在电子电路中的应用。

基本原理

场效应晶体管是一种三极管，由源极、漏极和栅极构成。与双极晶体管相比，

它不是通过控制一个载流子流向来控制电流，而是通过改变场效应晶体管中的电场

来控制载流子的流动。

当在栅极与源极之间施加一个电压，形成栅源电压（VGS）时，栅极下形成一

个电场。这个电场控制了沟道中形成的载流子，从而控制了源极到漏极之间的电流

流动。栅源电压可以正向或反向偏置，栅源电流一般非常小，可以忽略不计。

根据栅源电压的不同，场效应晶体管可以分为三种类型：-N沟道型（N-

Channel）FET：当栅源电压为正时，沟道中的电子受到栅源电压的吸引，形成导

电通道。-P沟道型（P-Channel）FET：当栅源电压为负时，沟道中的电洞受到栅

源电压的吸引，形成导电通道。-绝缘栅型（I-Channel）FET：当栅源电压为零时，

晶体管处于阻断状态。

结构与工作方式

场效应晶体管通常采用硅材料制造，其结构主要包括源极、漏极、栅极和沟道。

源极和漏极是两个接触电极，被用于连接外部电路。栅极位于源极和漏极之间，

用于控制电流流动。沟道将源极和漏极连接起来，负责载流子流动。

在工作时，源极和漏极之间施加一个正向偏置电压（VDS）。栅极与源极之间

施加一个电压（VGS），通常为正向或负向偏置。当VGS为正时，N沟道型场效应

晶体管中，栅源电压吸引电子，使其通过沟道流向漏极；在P沟道型场效应晶体

管中，栅源电压吸引电洞，使其通过沟道流向漏极。当VGS为负时，晶体管会进

入截止状态。

应用

场效应晶体管广泛应用于电子电路中，包括放大电路、开关电路、调整电路等。

以下是场效应晶体管在不同应用中的作用：

放大电路

场效应晶体管可以用作信号放大的关键元件。其高输入阻抗和低输出阻抗特性，

使其适合于放大小信号。同时，由于场效应晶体管的非线性特性，可以将输入信号

的小变化转换为输出电流或电压的大变化，实现放大功能。

开关电路

场效应晶体管可以用作开关，用于控制电路的通断。当栅源电压为正时，场效

应晶体管导通，电流可以流过；当栅源电压为零或负时，晶体管截止，电流不流过。

通过控制栅源电压的变化，可以实现快速的电路开关动作。

调整电路

场效应晶体管的栅源电压可以通过外部电压或电流进行调整，从而调整沟道中

的导电程度。通过调整栅源电压，可以实现对电路的参数调整，如电流调整、电阻

调整等。这种调整功能在电子电路中非常常见。

总结

场效应晶体管是一种重要的半导体器件，具有速度快、功耗低、噪声小等优势。

它的基本原理是通过控制沟道中的电场来控制载流子的流动，分为N沟道型、P

沟道型和绝缘栅型。场效应晶体管可广泛应用于放大电路、开关电路和调整电路中。

通过应用场效应晶体管，可以实现信号放大、电路开关和电路参数调整等功能，为

电子电路的设计和应用提供了重要的工具。

参考文献：-张乐.《电子技术基础》.机械工业出版社,2010.-张兴田.《半导

体物理学》.电子工业出版社,2016.