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第1节低噪声放大器指标

低噪声放大器

低噪声放大器（LNA）是射频接收机前端的主要部分。

它主要有四个特点。

1）它位于接收机的最前端，这就要求它的噪声越小越好。为了抑制后面各级噪声对系统的影响，这

要求有一定的增益，但为了不使后面的混频器过载，产生非线性失真，它的增益又不能过大。放大器

在工作频段内应该是稳定的。

2）它所接收的信号是很微弱的，所以低噪声放大器必定是个小信号放大器。而且由于受传输路径的

影响，信号的强弱又是变化的，在接收信号的同时又可能伴随着很多强信号的干扰，因此要求放大器

有足够大的线性范围，而且增益最好是可以调节的。

3）低噪声放大器一般通过传输线直接和天线或者天线的滤波器相连，放大器的输入端必须和它们很

好的匹配，以达到功率最大传输或者最小的噪声系数，并能保证滤波器的性能。

4）低噪声放大器应该具有一定的选频功能，抑制带外和镜像频率干扰，因此它一般是频带放大器。

低噪声放大器的所有指标都是互相牵连的，甚至是相互矛盾的。这些指标不仅取决于电路的结构，对

集成电路来说，还取决于工艺技术。在设计中如何采用折衷的原则，兼顾各项指标，是很重要的。

1）低功耗

LNA是小信号放大器，必须给它设置一个静态偏置。而降低功耗的根本办法是采用低电源电压、低

偏置电流，但伴随的结果是晶体管的跨导减小，从而引起晶体管及放大器的一系列指标的变化。

2）工作频率

放大器所能允许的工作频率和晶体管的特征频率Ft有关。减小偏置电流的结果会使晶体管的特征频

率降低。在集成电路中，增大晶体管的面积会使极间电容增加，这也降低了特征频率。

3）噪声系数

任何一个线性网络的噪声系数可以表示为：

（4.1）

式中和是网络的输入端的等效噪声电压源和等效噪声电流源。

对于共射组态的单管双极型晶体管放大器的噪声系数又可以表示为：

（4.2）

对于单管共源MOS场效应管放大器，当仅考虑沟道噪声时，场效应管放大器噪声系数为：

（4.3）

由此可见两点：

a.放大器的噪声系数和工作点有关，为了降低功耗而采用小电流偏置，结果是增大了噪声系数。

b.晶体管放大器的噪声与基区体电阻有关，为了降低噪声，在集成电路设计时，可以用增大晶体管

的面积来减小基区体电阻，但增大面积会

加大极间电容。

4）增益

低噪声放大器的增益要适中。过大会使下级混频器的输入太大，产生失真。但为了抑制后面各级的噪

声对系统的影响，其增益又不能太小。

放大器的增益首先与管子跨导相关。其次放大器的增益还与负载有关。低噪声放大器是频带放大器，

它的选频功能由其负载决定。

5）增益控制

低噪声放大器的增益最好是可以控制的。在通信电路中，控制增益的方法一般有如下几种：改变放大

器的工作点，改变放大器的负反馈量，改变放大器的谐振回路的Q值等。这些改变都是可以通过载波

电平检测电路产生自动增益控制电压来实现的。

6）输入阻抗匹配

低噪声放大器与其信号源的匹配时很重要的。放大器与源的匹配有两种方式：一是以获得噪声系数最

小为目的的噪声匹配；二是以获得最大功率传输和最小反射损耗为目的的共轭匹配。一般来说，现在

多采用后一种匹配方法。

匹配网络可以是纯电阻网络，也可以采用电抗网络。电阻网络适合于宽带放大，但它们要消耗功率，

并增加噪声。采用无损耗的电抗匹配网络不会增加噪声，但只适合窄带放大。

7）线性范围

线性范围主要由三阶互调截点IIP3和1dB压缩点来度量。放大器的线性范围和器件、电路结构以及

输入端的阻抗匹配网络都有关系。

8）隔离度和稳定度

增大低噪声放大器的反向隔离度可以减小本振信号从混频器向天线的泄漏程度。

引起反向传输的根本原因在于晶体管的集电极和基极间的极间电容以及电路中的寄生参数的影响，它

们也是造成放大器不稳定的原因。

提高稳定性的有效措施有采用中和电容或者晶体管共发共基（或者共源共栅）结构。

第2节低噪声放大器的设计

低噪声放大器

无论采用Bipolar、Bi-CMOS或GaAsFET工