场效应晶体管以及制造该场效应晶体管的方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN103378161A

(43)申请公布日2013.10.30

(21)申请号CN201310149427.3

(22)申请日2013.04.26

(71)申请人三星电子株式会社;浦项工科大学校产学协力团

地址韩国京畿道

(72)发明人金洞院金大万丁润夏朴修永朴赞训白禄贤李尚贤

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

代理人弋桂芬

(51)Int.CI

H01L29/78

H01L29/10

H01L21/336

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

场效应晶体管以及制造该场效应晶

体管的方法

(57)摘要

本发明提供一种场效应晶体管以及

制造该场效应晶体管的方法。该场效应晶

体管包括漏极区、源极区和沟道区。该场

效应晶体管还可以包括在沟道区的至少一

部分上或围绕沟道区的至少一部分的栅电

极、以及在沟道区与栅电极之间的栅电介

质层。沟道区的与源极区邻近的部分具有

比沟道区的与漏极区邻近的另一部分小的

截面面积。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种场效应晶体管,包括:

漏极区和源极区;

沟道区,连接所述漏极区与所述源极区;

栅电极,在所述沟道区的至少一部分上;和

栅电介质层,在所述沟道区与所述栅电极之间,

其中所述沟道区的与所述源极区连接的第一部分具有比所述沟道区的与所述漏极区

连接的第二部分小的截面面积。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管,其中所述沟道区具有从所述漏极区到所述源极

区连续减小的截面面积。

3.如权利要求1所述的场效应晶体管,其中所述第一部分的直径为所述第二部分的直

径的20%至40%。

4.如权利要求1所述的场效应晶体管,其中所述第一部分具有3nm至5nm的直径,并

且所述第二部分具有12nm至20nm的直径。

5.如权利要求1所述的场效应晶体管,其中所述栅电极围绕所述沟道区并且所述沟道

区贯穿所述栅电极。

6.如权利要求1所述的场效应晶体管,其中所述沟道区具有圆形或椭圆形的截面。

7.如权利要求1所述的场效应晶体管,还包括在所述沟道区下面的基板,

其中所述漏极区和所述源极区在基本上平行于所述基板的上表面的方向上彼此间隔

开。

8.如权利要求7所述的场效应晶体管,其中所述栅电极在所述基板和所述沟道区之间

延伸。

9.如权利要求1所述的场效应晶体管,还包括在所述沟道区下面的基板,

其中所述漏极区和所述源极区在基本上垂直于所述基板的上表面的方向上彼此间隔

开。

10.如权利要求9所述的场效应晶体管,其中所述源极区设置在所述基板的上部中。

11.如权利要求1所述的场效应晶体管,其中所述沟道区包括多个沟道区。

12.一种制造场效应晶体管的方法,包括:

在基板上形成漏极区、源极区和沟道区;以及

在所述沟道区上顺序地形成栅电介质层和栅电极,

其中所述沟道区形成为具有从所述漏极区到所述源极区连续减小的截面面积。

13.如权利要求12所述的方法,其中所述漏极区、所述源极区和所述沟道区的形成包

括:

在所述基板上顺序地形成牺牲层和有源层;

图案化所述有源层和所述牺牲层以形成凹陷区;以及

去除所述牺牲层的通过所述凹陷区暴露的部分。

14.如权利要求13所述的方法,还包括:

对所述图案化的有源层执行表面处理。

15.如权利要求12所述的方法,其中形成所述漏极区、所述源极区和所述沟道区包括:

在所述基板的上部中形成源极区;

在所述基板上形成绝缘层,暴露所述源极区的接触孔被限定在该绝缘层中;

在所述接触孔的侧壁上形成间隔物;

在提供有所述间隔物的所述接触孔中形成沟道区;以及

在所述沟道区上形成漏极区。

16.一种场效应晶体管,包括:

源极区;

漏极区;以及

沟道区,在所述源极