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半导体器件基础总复习

双极型晶体管部分

晶体管由两个pn结：发射结和集电结将晶体管划分为三个区：发射区、基区及集电区。

相应的三个电极称为发射极、基极和集电极，并用E，B和C(或e，b和c)表示。

晶体管有两种基本结构：pnp管和npn管。

双极型NPN晶体管制造过程：

1、在N型衬底中扩散P型杂质；

2、在P型扩散区中再扩散N型杂质；

3、在磷氧化层上开出基区和发射区接触孔；

4、蒸发金属；

5、光刻金属，引出及区、发射区引线；

6、制备集电极电极

7、切片、封装

JJ11

nEnE





发射效率

JJJJ0

DpW

EnEpE1pE1peneb

J

Dn0L

nEnbpbpe

可见提高N/N，降低R/R可提高发射效率，使γ接近于1。

eb□e□b

2

JJ

1W

**



b



nCrB

基区输运系数11



JJ2L



nEnEnb

1

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1

*222

集电区倍增因子1qn

2inCpCC

两种类型晶体管均可适用

W