一种沟槽型绝缘栅场效应晶体管及其制造方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN104103694A

(43)申请公布日2014.10.15

(21)申请号CN201410357032.7

(22)申请日2014.07.25

(71)申请人苏州东微半导体有限公司

地址215021江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道1355号国际科技园二期C102-1

(72)发明人刘磊林曦王鹏飞龚轶

(74)专利代理机构南京经纬专利商标代理有限公司

代理人吴树山

(51)Int.CI

H01L29/78

H01L29/423

H01L21/336

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种沟槽型绝缘栅场效应晶体管及

其制造方法

(57)摘要

本发明属于绝缘栅场效应晶体管技

术领域，特别是涉及一种沟槽型绝缘栅场

效应晶体管及其制造方法。本发明的沟槽

型绝缘栅场效应晶体管是在栅极沟槽底部

设有厚的绝缘介质层，以提高绝缘栅场效

应晶体管的击穿电压并降低其寄生电容；

同时，在所述栅极沟槽的底部设置一个小

凹槽，使得场氧化应力过渡区得到延长，

很好地解决了场氧化应力造成的漏电流问

题和提高了器件的可靠性；本发明通过自

对准工艺形成栅极沟槽底部的凹槽，工艺

过程简单，易于控制。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种沟槽型绝缘栅场效应晶体管,它包括:

半导体衬底底部的第二掺杂类型的漏区,以及在半导体衬底内形成的位于所述漏区

之上的第一种掺杂类型的漂移区;

半导体衬底内的一个U形沟槽,该U形沟槽的底部延伸进入所述漂移区;

半导体衬底内的第二种掺杂类型的沟道区和第一种掺杂类型的源区,该沟道区和源

区分别位于U形沟槽的侧壁两侧,且该源区位于该沟道区顶部;

在所述U形沟槽的两个侧壁上设有覆盖所述沟道区的栅氧化层;

其特征在于还包括:

在所述U形沟槽的底部设有场氧化层,该场氧化层的两侧呈鸟嘴形状,且该场氧化层

的厚度大于所述栅氧化层的厚度;

在所述U形沟槽内设有覆盖所述栅氧化层和场氧化层的多晶硅栅极。

2.根据权利要求1所述的一种沟槽型绝缘栅场效应晶体管,其特征在于所述U形沟

槽的底部设有一个开口宽度小于所述U形沟槽开口宽度的凹槽,该凹槽的深度为

10-100纳米,所述场氧化层填满该凹槽。

3.根据权利要求1所述的一种沟槽型绝缘栅场效应晶体管,其特征在于所述第一种掺

杂类型为n型掺杂,则所述第二种掺杂类型为p型掺杂;或所述第一种掺杂类型为p

型掺杂,则所述第二种掺杂类型为n型掺杂。

4.根据权利要求1所述的一种沟槽型绝缘栅场效应晶体管,其特征在于在所述漏区与

漂移区之间设有第一种掺杂类型的缓冲区。

5.基于权利要求1所述的一种沟槽型绝缘栅场效应晶体管的制造方法,它包括起始步

骤:

(1)在所述第二种掺杂类型的漏区之上外延第一种掺杂类型的硅外延层;

(2)在所述硅外延层内形成一个U形沟槽;

(3)在所述U形沟槽的表面依次形成第一层绝缘薄膜和第二层绝缘薄膜;

其特征在于还包括以下继续步骤:

(4)通过各向异性的刻蚀方法刻蚀掉U形沟槽底部的第二层绝缘薄膜;

(5)刻蚀掉暴露的U形沟槽底部的第一层绝缘薄膜,并继续在U形沟槽的底部位置进

行10-100纳米厚度的硅外延层的刻蚀;

(6)通过氧化工艺在U形沟槽的底部形成场氧化层;

(7)完全刻蚀掉所述第二层绝缘薄膜、暴露的第一层绝缘薄膜和硬掩膜层;

(8)进行热氧化,在U形沟槽的两个侧壁上分别形成栅氧化层,该栅氧化层的厚度小于

该U形沟槽底部形成的场氧化层厚度;

(9)进行多晶硅淀积和各向同性刻蚀,在U形沟槽内形成覆盖场氧化层和栅氧化层的

多晶硅栅极,该多晶硅栅极的顶部低于硅外延层的上表面;

(10)进行离子注入,在U形沟槽两侧的硅