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场效应工作原理

场效应是一种基于电场控制电流的效应。场效应晶体管

（FieldEffectTransistor，简称FET）利用电场的控制作用来

调节电流的特性。

场效应晶体管有三个电极：源极（source）、栅极（gate）和

漏极（drain）。当栅极上加有一定电压时，产生的电场会控

制源漏通道中的电荷运动。栅极电势的变化将影响源漏通道的

导电能力，从而控制源漏电流的大小。

在N型场效应管（N-channelFET）中，源极和漏极之间形成

一个导电通道，该通道由N型半导体材料构成。当栅极电势

为0时，通道处于截止状态，无法导电。当栅极电势增加到临

界电压以上时，栅极电场能够驱动接近栅极的源极区域的自由

电子进入导电通道，形成电流。增加栅极电势会进一步增加通

道内的电子数目，从而增加源漏电流的大小。

类似地，在P型场效应管（P-channelFET）中，源极和漏极

之间形成一个由P型半导体材料构成的导电通道。当栅极电

势为0时，通道也处于截止状态。当栅极电势降低到临界电压

以下时，栅极电场能够驱动接近栅极的漏极区域的空穴（带正

电荷的缺失电子）进入导电通道，从而导致漏极电流的形成。

因此，场效应晶体管通过控制栅极电势来调节电流的通过，实

现对电路的放大、开关等功能。它具有高输入阻抗、低输出阻

抗和大信号增益等特性，在现代电子器件中得到广泛应用。