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SOI器件新结构及其发展新方向

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摘要绝缘体上硅(SOI)是纳米技术时代的高端硅基材料。SOI(silicon-on-insulator:绝

缘体上单晶硅薄膜)技术已取得了突破性的进展,但一般SOI结构是以SiO作为绝缘埋层,以

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硅作为顶层的半导体材料,这样导致了一些不利的影响,限制了其应用范围。为了充分发挥

SOI技术的优势,主要的思路是对影响器件稳定性的因素采取抑制方法、通过新结构和新材

料的研究来应对硅基集成电路的固有弱点。

关键词:绝缘体上硅;稳定性;新结构;新材料

NEWSTRUCTUREANDDEVELOPMENTDIRECTIONOFSOIDEVICE

AbstractSilicon-On-Insulator(SOI)isanadvancedsilicon-basedmaterialforNanotechnology

SOIstructuresemploySiOasinsulatorandsiliconasthesemiconductormaterial.Thisresultsin

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SOItechnology,mainstrategiesaresetondepressingapproachagainstfactorsthatinfluence

device’sstability,byresearchonnewstructureandmaterialtohandlenativeshortcomingsof

Si-basedIC.

Keywords:SOI(silicononInsulator);device’sstability;newstructure;newmaterial

1.前言

集成电路的特征尺寸在1999年开始缩小到亚100nm,英特尔(Intel)在2006年6月实

现了90nm,65nm技术的微处理器(CPU)由物理栅长仅为35nm的近三亿只金属-氧化膜-半

导体场效应晶体管(MOSFET)组成,在芯片生产方面实现了里程碑式的跨越。英特尔45nm处

理器已正式宣布量产,全球独家首次采用高k金属栅技术。英特尔为半导体制造技术带来了

一次革命,从而使摩尔定律(Moore.sLaw)得到进一步延伸。根据/国际半导体技术发展路线

图0(ITRS)的预测,摩尔定律所预测的高速发展至少将持续到2020年,那时的晶体管物理栅

长将是6nm!在过去的2013年,集成电路进入了32nm技术代,并于2016年进入22nm技

术时代。随着芯片集成度的进一步提高,即器件特征尺寸的进一步缩小,将会面临大量来自传

统工作模式、传统材料,乃至传统器件物理基础等方面的问题。因此,必须在器件物理、材料、

器件结构、关键工艺、集成技术等基础研究领域寻求突破。

要进一步提高芯片的集成度和运行速度,现有的体硅材料和工艺正接近它们的物理极限,

在进一步减小集成电路的特征尺寸方面遇到了严峻的挑战,必须在材料和工艺上有新的重大

突破。目前,在材料方面,重点开发绝缘体上硅(SOI)、应变硅、Ge-Si、金属栅、低k及高k

介质材料等。业界公认,SOI技术已成为纳米技术时代取代现有单晶硅材料的解决方案之一,

是维持摩尔定律走势的利器。在这样的形势下,各国开发了许多新技术来解决器件尺寸持续

缩小所带来的性能降级问题,SOI技术正是在这样的背景下产生的。

SOI技术是在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的、有独特优势的、能突破硅

材料与硅集成电路限制的新技术。其基本结构如图1所示，SOI电路的绝缘埋层把器件与衬

底隔开,减轻了衬底对器件的影响(即体效应),消除或在很大程度上减轻了硅器件的寄生效

应,大大提高了电路的性能,工作性能接近理想器件。SOI电路具有高速、低压、低功耗、抗

辐照、耐高温等优点.原来它的应用主要局限在军工、航空航天等领域来制作耐高温和抗辐

照电路。随着SOI衬底制备技术的发展,SOI圆片成本不断降低,特别是IBM等公司在SOI器

件制作的关键工艺方面获得突破,使得SOI进入民用成为可能.同时,随着移动通信、