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电力电子技术复习题1

第1章电力电子器件

1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频

率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三

局部组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。

4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型

器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。

5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。

6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。

7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

8.晶闸管的根本工作特性可概括为__正向电压门极有触发那么导通、反向电压

那么截止__。

9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于

__Ubo。

11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_〔如何连接〕在同一管芯上的功

率集成器件。

12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的

三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对

应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。

15.IGBT的开启电压UGE〔th〕随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__

电力MOSFET。

16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子

器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在

1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。

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18.在如下器件：电力二极管〔PowerDiode〕、晶闸管〔SCR〕、门极可关断晶

闸管〔GTO〕、电力晶体管〔GTR〕、电力场效应管〔电力MOSFET〕、绝缘栅双

极型晶体管〔IGBT〕中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件

的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT_；

属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET_，属于双极型器件的有_电力二极

管、晶闸管、GTO、GTR_，属于复合型电力电子器件得有__IGBT_；在可控

的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压

驱动的是电力MOSFET、IGBT_，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO、GTR_。

第2章整流电路

1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流

O

电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180_。

2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻

O

感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180

_，其承受的最大正反向电压均为_2U__，续流二极管承受的最大反向电压为

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__2U_〔设U为相电压有效值〕。

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