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直拉硅单晶中微缺陷的特征及演变

佟丽英;高丹

【摘要】Afterhightemperatureoxidationandetching,Czochralski(CZ)

siliconsinglecrystalpolishedwafersshowoxidationinduceddefects

includingswirldefectsandoxidationinducedstackingfaults(OISF),whose

shapeanddistributioncorrelatewithmicrodefectsduringthesinglecrystal

growthprocess.Theinternalcharacteristicsofswirldefectsandthedensity

distributionofOISFareexperi‐mentallydemonstratedandtheeffectof

thedefectsonthedeviceperformanceisanalyzed.Thecharac‐teristic

parametersofsinglecrystalqualityarealsodetermined.%直拉硅单晶抛光片

经过高温氧化后，腐蚀显示出氧化诱生缺陷，包括漩涡缺陷和氧化层错

（oxidationinducedstackingfaults，OISF），其形状和分布与单晶生长过程

中形成的微缺陷有一定的对应关系。文章通过试验显示出漩涡缺陷的内部特征及

OISF的密度变化，推测出其对器件性能产生的影响，并确定控制单晶质量的特

征参数。

【期刊名称】《合肥工业大学学报（自然科学版）》

【年(卷),期】2016(039)009

【总页数】4页(P1196-1198,1225)

【关键词】微缺陷;氧化诱生;漩涡缺陷;氧化层错

【作者】佟丽英;高丹

【作者单位】中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津300220;中国电子科

技集团公司第四十六研究所，天津300220

【正文语种】中文

【中图分类】TN304.053

在实际生长的半导体晶体中,总是存在着偏离理想情况的不完整现象。直拉硅单晶

拉制过程中,固液界面生成的点缺陷为过饱和的,在单晶冷却时,一部分形成微缺陷;另

一部分未形成微缺陷的残留点缺陷,会影响氧沉淀及氧化层错(oxidationinduced

stackingfaults,OISF)的产生[1]。体OISF一般认为成核于氧沉淀处[2-3],其反应

驱动力为张应力和自间隙过饱和度,也有研究认为成核于体内的空洞处[4]。表面

OISF形成的根本原因是热氧化时硅-二氧化硅界面处产生自间隙硅原子[5-6],这些

自间隙硅原子扩散至张应力或晶格点缺陷(成核中心)处而形成OISF并长大。

采用硅片作为衬底材料制备器件时,由于需要较长时间的热过程,微缺陷及氧沉淀聚

集在一起形成二次缺陷,导致材料的载流子寿命下降,不仅使大功率高反压器件的性

能劣化,而且使电荷耦合元件(charge-coupleddevice,CCD)产生暗电流尖峰,同时

也严重影响集成电路的成品率。

直拉硅单晶中微缺陷采用文献[7]氧化诱生的方法检测,其原理是模拟器件的热循环,

然后进行化学腐蚀形成对微缺陷的缀饰放大作用,以便于检测。晶向〈111〉抛光片

的氧化诱生缺陷多数以雾的形式显示;晶向〈100〉抛光片的氧化诱生缺陷以OISF

的形式显示。

试验1试验中的样片为晶向〈100〉和晶向〈111〉2种共3个样片,3片是单晶编

号为1405432、1405433、0815-30的头部样片,取样位置在单晶收肩后1/2直

径长度的地方,即等径下方50mm处。样片在单晶中的位置如图1所示,样片的具

体参数见表1所列。

试验条件如下:参照GB/T4058-2009标准,硅片在1100℃湿氧氧化2h,然后去除

氧化膜,用Schimmel腐蚀液A腐蚀4～6min。腐蚀结果见表2所列。

OISF在宏观上可能形成同心圆、漩涡状等图形,微观上为大小不一的船形、弓形、

卵形及杆状蚀坑。在硅单晶的拉制过程中由于拉速与热场不匹配会形成漩涡,漩涡

在宏观上为同心圆、螺旋、波浪和弧状等图形,在100倍或更高