基于石墨烯及多环银纳米薄膜电极的发光器件及其制备方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN109360874A

(43)申请公布日2019.02.19

(21)申请号CN201811120354.4

(22)申请日2018.09.26

(71)申请人华南师范大学

地址510631广东省广州市天河区中山大道西55号华南师范大学光电子材料与技术研

究所

(72)发明人孙慧卿张盛郭志友

(74)专利代理机构广州市华学知识产权代理有限公司

代理人李斌

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

基于石墨烯及多环银纳米薄膜电极

的发光器件及其制备方法

(57)摘要

本发明涉及石墨烯及多环银纳米薄

膜电极的发光器件及其制备方法，其包括

衬底，缓冲层，位于所述衬底的上表面，

N型层，覆盖于所述缓冲层的上，多量子

阱层，覆盖于所述N型层上，电子阻挡

层，覆盖于所述多量子阱层上，P型层，

覆盖于所述电子阻挡层上，微阵列导电电

极层，覆盖于所述P型层上，其中，所述

微阵列导电电极层包括石墨烯及多环银纳

米薄膜电极。本发明发光器件的导电电极

层使用石墨烯与金属Ag薄膜相结合，并

且其金属Ag薄膜采用图形化处理，利用

表面等离极化激元效应，不仅使得发光效

率有了较大的提升，而且降低了电阻值，

降低了热量的产生，有较好的散热。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.基于石墨烯及多环银纳米薄膜电极的发光器件,其包括,

衬底;

缓冲层,位于所述衬底的上表面;

N型层,覆盖于所述缓冲层的上;

多量子阱层,覆盖于所述N型层上;

电子阻挡层,覆盖于所述多量子阱层上;

P型层,覆盖于所述电子阻挡层上;

微阵列导电电极层,覆盖于所述P型层上,其中,所述微阵列导电电极层包括石墨烯及

多环银纳米薄膜电极。

2.根据权利要求1的所述发光器件,其特征在于,所述多环银纳米薄膜电极位于所述

石墨烯层之上。

3.根据权利要求2的所述发光器件,其特征在于,还包括p电极及n电极。

4.根据权利要求1或2的所述发光器件,其特征在于,所述银纳米膜导电电极层包含

至少三个同心圆环以及至少四条互相垂直的矩形带,所述同心圆环之间间距相等,所

述矩形带沿其圆环的直径方向连接圆环,并沿所述圆环的圆周方向均匀分布。

5.根据权利要求4的所述发光器件,其特征在于,所述同心圆环为三个,最外围的圆环

外径为180nm,最小圆环的外径为60nm,位于所述最外围的圆环与所述最小圆环之

间的圆环外径为120nm,所述圆环的带宽为15nm。

6.根据权利要求4的所述发光器件,其特征在于,所述互相垂直的矩形带为四个,所述

矩形带的带宽为15nm。

7.基于石墨烯及多环银纳米薄膜电极的发光器件的制备方法,其包括,

衬底的清洁处理;

在清洁处理后的衬底表面沉积一缓冲层;

在所述缓冲层的表面沉积一N型层;

在所述N型层的表面沉积多量子阱层;

在所述多量子阱层表面生长一电子阻挡层;

在所述电子阻挡层表面生长一P型层;

将单层石墨烯转移至所述P型层上;

在所述单层石墨烯表面蒸镀金属Ag薄膜;

采用光刻技术将所述金属Ag薄膜刻蚀为多环Ag纳米薄膜,从而形成微阵列导电电

极层;

p电极及n电极的制备。

8.根据权利要求7的所述制备方法,其特征在于,在所述p电极及n电极的制备工序

之后,在280°C的氮气气氛下进行10分钟的退火处理。

9.根据权利要求7或8的所述制备方法,其特征在于,所述银纳米膜导电电极层包含

至少三个同心圆环以及至少四条互相垂直的矩形带,所述同心圆环之间间距相等,所

述矩形带沿其圆环的直径方向连接圆环,并沿所述圆环的圆周方向均匀分布。

10.根据权利要求9的所述制备方法,其特征在于,所述同心圆环为三个,最外围的圆环

外