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第一章晶体二极管和二极管整流电路
一、填空
1、晶体二极管加一定的（正向）电压时导通，加（反向）电压时（截止）这一导电特性称为二极管的（单相导电）特性。
2、不加杂质的纯净半导体称为（本征半导体）。
3、P型半导体它又称为（空穴）型半导体，其内部（空穴）数量多于（自由电子）数量。
4、加在二极管两端的（电压）和流过二极管的（电流）间的关系称为二极管的（伏安特性）。
5、把（交流）电转换成（直流）电的过程称为整流。
6。直流电的电路称为二极管单相整流电路，常用的有（单相半波整流）、（单相桥式整流）和（倍压整流）电路。
7。三极管工作在放大区时，通常在它的发射结加（正向）电压，集电结加（反向）电压。
8。三极管在电路中的三种基本连接方式是（共发射极接法）、（共基极接法）、（共集电极接法）。9。晶体二极管的主要参数有（最大整流电流IFm）、（最高反向工作电压VRm）、（反向漏电流IR）。
10。导电能力介于（导体）和（绝缘体）之间物体称为半导体。11、在半导体内部，只有（空穴）和（自由电子）两种载流子。12、一般来说，硅晶体二极管的死区电压应（大于）锗晶体二极管的死区电压。
13、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（既有少数载流子，又有多数载流子）。
14、用万用表测晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有+号插孔中的测试表笔（通常是红色表笔）所连接的二极管的管脚是二极管的（负）极，另一电极是（正）极。
15、面接触性晶体二极管比较适用（大功率整流）
16。晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则晶体二极管处于（反偏）
17。用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆档拨到（R1K档）
18。当硅晶体二极管加上0。3V正向电压时，该晶体管相当于（阻值很大的电阻)
19。晶体二极管加（反向）电压过大而（击穿），并且出现（烧毁）的现象称为热击穿
20。晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流（极小）；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会急速（增大）
21、二极管的正极又称（阳）极，负极又称（阴）极。
22、二极管反向工作电压Vrm是指二极管正常使用时所允许加的最高（反向电压）
23、能影响二极管性能好坏的是哪一个参数:（反向漏电流）24、本征半导体中（有）载流子。
25、简单地把P型半导体和N型半导体接触在一起（不能）形成PN结。26。P型半导体又称（空穴）型半导体，N型半导体又称（电子）型半导体。
第二章体三极管和场效晶体三极管
27。半导体三极管又称（双）极三极管，简称晶体管。
28。三极管内有三个区即（基）区、（发射）区、（基电）区，各自引出一个电极称为（基）极、（发射）极、（集电）极。29。每个三极管内都有两个PN结，发射区和基区之间的PN结，称为（发射）结，集电区和基区之间的PN结为（集点结）。30。三极管内部发射区掺杂浓度较（大），以利于发射区向基区发射载流子。
31、三极管内电流的分配关系是(IE=IB+IC)
32、三极管共发射极电路中，基极对发射极电压VBE和基极电流IB之间的相应数量关系，称为三极管的（输入）特性。
33、场效应管是一种（电压）控制器件，用（栅）极的电压来控制（漏）极电流。
34、当三极管的发射结集电结均正偏时三极管处于（饱和）状态。35、绝缘栅场效应管简称ＭOS管，可分为增强型和（耗尽）型。
第三章单级低频小信号放大器
36。对放大器的基本要求：（1）要有（足够的）放大倍数，（2）要具有一定宽度的（通频带），（3）（非线性）失真要小，（4）工作要（稳定）37。一个放大器的（静态工作点）设置的是否合适是放大器能否正常工作的重要条件。
38。在放大器电路中，既有（直流）成分，又有（交流）成分，在分析静态工作点时，只考虑（直流成分），在计算放大倍数时，要考虑（交流成分）。39。放大器的放大能力常用（放大倍数A）表示，它包括（电压放大倍数）、（电流放大倍数）、（功率放大倍数）。40。能把微弱的电信号放大，转换成较强的电信号的电路称为（放大）电路。
41、把放大器的输入端短路，则放大器处于无信号输入状态称为（静态）。
42、画直流通路时，把（电容）视为开路，其他不变。43、单管共发射极放大电路兼有（放大）和（反相）作用。
44、画交流通路时，把（电源）和（电容）都简化成一条短路的直线。45、直流负载线的斜率（-1、Rc）
46、交流负载线的斜率是（-1、RL）。
47、在固定偏置式放大电路中，若Rbrbe,则ri≈(rbe)。
48、从三极管的特性曲线簇可以看出，放大器的静态工作点设置的太高，会出现（饱和）失真，若放大器
的静态工作点设置的太低会出现（截止）失真。
49、功率增益GP与功率放大倍数AP之间的关系是（GP=10lgAP）50、图解法分析静态工作
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