电学参数 _原创精品文档.pdfVIP

LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学特性：I-V特性、C-V特性和光学特

性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。本文将为你详细介绍。

1、LED电学特性

1.1I-V特性

表征LED芯片pn结制备性能主要参数。LED的I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表

现低接触电阻，反之为高接触电阻。

如右图：

（1）正向死区：（图oa或oa′段）a点对于V0为开启

电压，当V＜Va，外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成

势垒电场，此时R很大；开启电压对于不同LED其值不同，

GaAs为1V，红色GaAsP为1.2V，GaP为1.8V，GaN为2.5V。

（2）正向工作区：电流IF与外加电压呈指数关系

IF=IS(eqVF/KT–1)IS

为反向饱和电流。V＞0时，V＞VF的正向工作区IF随VF指数上升，

IF=ISeqVF/KT

（3）反向死区：V＜0时pn结加反偏压V=-VR时，反向漏电流IR（V=-5V）时，GaP为0V，GaN为10uA。

（4）反向击穿区V