腐蚀参数对SiC单品材料位错腐蚀效果的影响 .pdfVIP

腐蚀参数对SiC单品材料位错腐蚀效果的

影响

作者：苗瑞霞

来源：《科技创新导报》2013年第25期

苗瑞霞

（西安邮电大学电子工程学院微电子系西安710121）

摘要：湿法腐蚀是缺陷表征的主要方法，腐蚀效果取决于腐蚀剂和腐蚀时间。然而碳化硅

具有很强的化学稳定性，普通的腐蚀剂难以对SiC造成腐蚀，熔融的KOH可以很好地进行选择

性腐蚀，因此位错选择性腐蚀的效果不仅受腐蚀时间的影响，还受腐蚀温度的影响。该文采用

KOH作为腐蚀剂，通过改变腐蚀温度和时间研究腐蚀参数对SiC单晶材料中位错选择性腐蚀形

貌的影响。结果表明，在温度为440°C和500°C时，改变腐蚀时间对位错选择性腐蚀形貌影

响并不明显；而在腐蚀温度为470°C下，腐蚀形貌随时间变化出现三种不同特点，即10min时

欠腐蚀，20min时过腐蚀，15min时，可以得到理想的位错腐蚀形貌。

关键词：SiC腐蚀位错缺陷表征

中图分类号:TN304文献标识码：A文章编号：1674-098X(2013)09(a)-0087-03

作为第三代半导体材料，SiC具有带隙宽、热导率高、电子饱和漂移速度大、临界击穿电

场高和介电常数低、化学稳定性