金属杂质对半导体级硅单晶生长中晶体质量的影响研究 .pdfVIP

金属杂质对半导体级硅单晶生长中晶体质量

的影响研究

引言：

半导体级硅单晶是制造半导体器件的重要材料，而其生长过程中的晶体质量对

器件性能有着巨大的影响。其中，金属杂质是可能会存在的一种不良因素。本文旨

在研究金属杂质对半导体级硅单晶生长中晶体质量的影响，并探讨其对器件性能的

潜在影响。

一、金属杂质引入的途径

金属杂质可以通过多种途径引入半导体级硅单晶生长中，如：材料准备过程中

的残留杂质、熔融硅中的金属载体或反应容器杂质、成核控制剂中的杂质等。这些

杂质会在生长过程中与硅原料相互作用，影响晶体生长质量。

二、金属杂质的影响机理

1.给熔体造成离子不平衡：金属杂质可以在硅熔融体中形成阳离子或阴离子，

导致熔体的电荷失衡。这种失衡可引起晶体生长时结构紊乱，进而影响晶格的排列

和晶体的完整性。

2.引起界面活性变化：金属杂质的存在破坏了硅熔体-晶体界面的平衡，改变

了晶体生长时的表面张力。这会导致溶质浓度梯度增加，晶体生长速率不均匀，从

而影响晶体质量。

3.影响晶格缺陷：金属杂质与硅原子结合形成固溶体，引发晶格缺陷的形成。

这些缺陷会影响晶体的晶格结构和电子迁移性能，进而影响半导体器件的性能。

三、金属杂质对晶体质量的影响

1.晶体生长速率：金属杂质引入会改变晶体生长速率，导致晶体表面的成核和

晶体面扩散过程发生变化，从而影响晶体生长的均匀性和晶体质量。

2.晶体结构缺陷：金属杂质在晶体中形成固溶体或偏聚集，引起晶格缺陷的形

成。晶格缺陷会影响晶体的机械性能、光电性能和热传导性能，降低半导体器件的

性能稳定性。

3.电子能带结构：金属杂质的引入可能会改变半导体的能带结构，影响电子在

材料中的行为。这将对材料的导电性、载流子迁移率和能带间隙等方面产生影响。

四、潜在影响及对策

1.功率损耗增加：金属杂质的存在会使半导体材料的电阻增加，导致器件的发

热增加。为了减少这种潜在影响，可以通过优化生长过程、选择高纯度硅原料和采

用更精细的制备工艺等方式来控制金属杂质含量。

2.生长过程控制：通过改变生长条件、调节生长参数等措施，可以减少金属杂

质的引入。尤其是在选用石英反应容器、控制熔融硅中非金属杂质含量的同时，也

需要注意金属载体和控制剂的选择与使用。

3.晶体质量检测：制定有效的检测方法，及时发现杂质含量超标的晶体。可以

运用红外光谱、X射线衍射以及电子能谱等检测手段，实施全面的质检，有助于避

免杂质对晶体质量产生不可逆的损害。

结论：

金属杂质是影响半导体级硅单晶生长中晶体质量的主要因素之一。金属杂质的

引入会对晶体生长过程中的结构形态、晶格缺陷和电子迁移性能等方面产生影响。

为了获得高质量的半导体级硅单晶，必须在杂质引入和生长过程控制方面进行有效

的措施。通过优化材料准备过程、改进生长条件和采用质量检测手段等措施，可以

减少金属杂质对晶体质量的影响，从而提高半导体器件的性能和可靠性。