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基于CdZnSe绿色量子点的壳层厚度和表面配体调控构筑高亮度长寿命电致发光器件.pdf

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摘要

量子点发光二极管(QLED)因其色纯度高、色域范围广、发射光谱连续可调等诸

多优异特性,现已成为新一代高端显示技术中极具竞争力的产品。近三十年来,随着

量子点(QDs)发光材料合成技术的不断提升、器件结构的不断优化,QLED的器件性

能(亮度、效率和寿命等)已基本满足低亮度(100cdm-2)显示应用的要求。然而,

高亮度(≥1000cdm-2)下器件效率低、寿命短,例如,绿色QLED在1000cdm-2时

T95(亮度衰减至初始亮度的95%所用时间)

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