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大功率ＬＥＤ的热阻测量与结构分析_LED热阻

半导体照明光源具有节能、环保、安全、易驱动、体积小、寿命

长、色彩丰富、可靠性高等优点，经过40多年的发展，发光效率和

功率得到了大幅度的提高，1996年白光LED的研制成功使半导体照

明光源备受瞩目，目前已被公认为是21世纪最有可能进入普通照明

领域的新型固态光源。但是LED器件要完全取代传统的白炽灯和荧

光灯，其总光通量必须大幅度提高。光通量的提高一般采用增加集成

度、加大电流密度、使用大尺寸芯片等方法来实现，这些方法会增加

LED的功率密度，如果散热系统设计不完善，PN结至环境的总热阻

过大，LED芯片的结温就会过高，这将直接影响LED器件的性能，导

致发光效率降低、出射光红移、寿命缩短等，可见合理设计散热系统

对提高LED的性能十分重要。

本文运用半导体器件热性能的动态测量原理，通过测量大功率

LED的热瞬态响应，研究LED热阻的精确测量方法，热阻与环境温度

和工作电流的关系，利用结构函数分析LED器件热传导路径上的材

料特性、尺寸和缺陷，为设计和制造具有优良散热性能的大功率LED

及其应用系统提供科学的指导。

1热阻精确测量与器件结构分析原理

1.1电学参数法

目前国内外测量LED热学特性的方法主要有红外热成像法、光

谱法、光功率法、管脚温度法和电学参数法。采用电学参数法测量时，

LED的PN结既是被测对象，又是温度传感器，消除了因附加温度传

感器而引入的测量误差，因此测量精度高、速度快，是目前国际上通

用的标准方法。

热阻是导热介质两端的温度差与通过热流功率的比值，LED的热

阻定义为：

式中TJ0为待测LED未施加加热功率前的初始结温，在热平衡状

态下即为指定参考点的温度TX。

由式（1）、（2）、（3）可得待测LED热阻的另一种表示方式：

按照CIE的建议，LED光度和辐射度的测量应在热稳定状态下进

行；而JSD51-1标准规定，半导体器件热性能的测量应在两种不同的

热稳定状态及其之间的变化过程中进行。LED热稳定状态的改变可以

通过快速切换流过LED的电流来实现。当电流从小电流（测试电流）

切换为大电流（加热电流）时，LED结温的变化曲线称为加热曲线，

此时由于流过LED的电流较大，测量误差也较大；当电流从大电流

（加热电流）切换为小电流（测试电流）时，LED结温的变化曲线称

为冷却曲线，此时由于流过LED的电流很小，测量精度较高(注：测

试电流的选择不应过大而导致LED产生明显的自热效应，又要避免

过小而得不到可靠的正向结电压)。因为加热曲线和冷却曲线相互对

称，两者均能反映LED的热性能，因此在实验中宜采用测量冷却曲线

的方法，具体步骤如下（参见图1）：

（1）在小电流下根据式（2）测量LED的温度敏感系数K；

（2）使加热电流IH通过待测LED，当LED达到热稳定状态时，

测量此时的正向结电压Vf1、电功率PEL1（IHVf1）和光功率POPT1；

（3）迅速将加热电流IH切换为测试电流IS，实时记录冷却曲线，

直至LED达到另一个热稳定状态，测量此时的正向结电压Vf2、电功

率PEL2（ISVf2）和光功率POPT2。

（4）设两次测量的电功率和光功率之差分别为PEL=PEL1－PEL2

和POPT=POPT1－POPT2，则由式（4）可得LED的热阻为：

1.2结构函数的推导过程

在实际物理系统中，物体所贮存的热能与温度成比例关系，而并

非像Foster模型所表示的那样，由节点间的温度差所决定，因此应将

Foster热学模型转换为所有热容均接地的Cauer热学模型，如图4所

示。将Cauer热学模型中的每一对Rθ-iCθ值i在坐标系中表示出来，

如图5所示，即得到系统的积分式结构函数：

2热阻测量实例

由于仪器功能的原因，在测量LED热阻时，要么直接忽略了LED

的光功率POPT，要么仅对LED的光功率进行粗略的估计，这对于

输入电能约有10％～30％转化为光能的大功率LED来说将导致较大

的测量偏差。还有另外一种方法是分别用两套系统测量热阻和光功率，

然后再计算出真实的热阻，但这种方法相当粗略，因为在两个不同的

系统中