晶体位错解析 .pdfVIP

晶体位错是指晶体中存在的一类线缺陷，即晶体中的原子或分子的排列在某一方向上出现了局部的不规则排

列。位错的存在对晶体的物理、化学和机械性质具有显著的影响。

位错具有以下基本性质：

1.位错是晶体中原子排列的线缺陷，不是几何意义的线，而是具有一定尺度的管道。

2.位错处的原子或分子的排列与周围不同，形变滑移是位错运动的结果，而不是说位错是由形变产生的。

3.位错线可以终止在晶体的表面或晶界上，但不能终止在一个完事的晶体内部。

4.在位错线附近有很大应力集中，附近原子能量较高，易运动。

位错的研究方法包括光学显微镜、X光衍射电子衍射和电子显微镜等技术进行直接观察和间接测定。

晶体位错的应用包括金属材料中的塑性变形和断裂行为、半导体材料中的缺陷和掺杂行为、陶瓷材料中的增韧

机制等。此外，晶体位错的形成和控制对于晶体生长、晶体的微观结构和性能调控以及材料的加工和制备等方

面也有着重要的意义。