具有UBM的封装件和形成方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN105428329A

(43)申请公布日2016.03.23

(21)申请号CN201510434802.8

(22)申请日2015.07.22

(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司

地址中国台湾新竹

(72)发明人余振华李建裕郭宏瑞黄立贤陈宪伟叶德强刘重希郑心圃

(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司

代理人章社杲

(51)Int.CI

H01L23/31

H01L23/485

H01L21/50

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

具有UBM的封装件和形成方法

(57)摘要

本发明讨论了封装件结构和形成封

装件结构的方法。根据一些实施例，封装

件结构包括集成电路管芯、至少横向密封

集成电路管芯的密封剂、位于集成电路管

芯和密封剂上的再分布结构、连接至再分

布结构的连接件支撑金属以及位于连接件

支撑金属上的外部连接件。再分布结构包

括远离密封剂和集成电路管芯设置的介电

层。连接件支撑金属具有位于介电层的表

面上的第一部分并且具有在穿过介电层的

开口中延伸的第二部分。连接件支撑金属

的第一部分具有在远离介电层的表面的方

向上延伸的倾斜侧壁。本发明的实施例还

涉及具有UBM的封装件和形成方法。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种封装件结构，包括：

集成电路管芯；

密封剂，至少横向密封所述集成电路管芯；

再分布结构，位于所述集成电路管芯和所述密封剂上，所述再分布结

构包括远离所述密封剂和所述集成电路管芯设置的第一介电层；

连接件支撑金属，连接至所述再分布结构，所述连接件支撑金属具有

位于所述第一介电层的第一表面上的第一部分并且具有在穿过所述第一介

电层的开口中延伸的第二部分，所述连接件支撑金属的所述第一部分

具有倾斜侧壁，所述倾斜侧壁在远离所述第一介电层的所述第一表

面的方向上延伸；以及

外部连接件，位于所述连接件支撑金属上。

2.根据权利要求1所述的封装件结构，还包括：

粘合层，位于所述连接件支撑金属的所述第一部分的至少部分上；以

及

第二介电层，位于所述第一介电层和所述粘合层上，所述外部连接件

设置为通过穿过所述第二介电层的开口。

3.根据权利要求2所述的封装件结构，其中，所述连接件支撑金属包

括铜，并且所述粘合层是氧化铜。

4.根据权利要求2所述的封装件结构，其中，所述外部连接件直接连

接至所述连接件支撑金属。

5.根据权利要求1所述的封装件结构，其中，在所述连接件支撑金属

内部测量的由所述倾斜侧壁和所述第一表面形成的角度在从60度至85度

的范围内。

6.根据权利要求1所述的封装件结构，其中，所述再分布结构还包括：

金属化图案，所述第一介电层位于所述金属化图案上，所述连接件支

撑金属机械和电连接至所述金属化图案。

7.一种封装件结构，包括：

复合结构，包括集成电路管芯和至少横向密封所述集成电路管芯的密

封材料；

再分布结构，位于所述复合结构上，所述再分布结构的第一表面远离

所述复合结构；

球下金属(UBM)，位于所述再分布结构上，所述UMB具有位于所

述第一表面上的第一部分，所述第一部分的侧壁与所述第一表面形成非垂

直角度，在所述UBM内部测量所述非垂直角度；

粘合层，位于所述UBM