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一种二次补偿的带隙电压基准

陈光华;陈俊飞;高博

【摘要】为了降低带隙基准电压源的温漂系数,设计了一种采用β倍增器电流源和

IPTAT2电流源作为二次曲率补偿技术的超低温漂基准电压源.运用SMIC0.18μm

工艺,仿真结果表明,在-40～85℃,该基准电压源的温漂系数为0.336×10-6/℃,大大

降低了温度对电压源的影响.

【期刊名称】《电子与封装》

【年(卷),期】2019(019)006

【总页数】4页(P29-31,40)

【关键词】带隙基准;温度系数;β倍增器电流源;IPTAT2电流源

【作者】陈光华;陈俊飞;高博

【作者单位】四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室,成都

610064;四川邮电职业技术学院,成都610066;四川邮电职业技术学院,成都

610066

【正文语种】中文

【中图分类】TN402

1引言

很多模拟电路或者数字电路都会用到电压基准，它能为系统提供直流参考电压，对

电路性能有显著的影响[1]。为了减小温度对带隙电压基准的影响，需要对其进行

曲率补偿，常见的补偿方法为一阶曲率补偿，这种补偿电路的温度特性与被补偿电

路有较高的匹配，得到的基准电压无法满足高性能电路系统的要求，因此本文将两

种补偿技术互相叠加，通过调节各电路输出的电流，产生一个新的、补偿效果更好

的电路，以求得到更低的温漂系数。

2带隙电压基准的原理及结构

2.1原理

带隙电压基准是将两个拥有相反温度系数的电压通过合适的比例相加，从而获得具

有零温度系数的基准电压[2]。用公式表示为：

式（1）中α、β是常数，T为温度，V+、V-分别为具有正负温度系数的电压，这

样输出的基准电压具有零温度系数。

2.2结构

两个工作在不相等的电流密度下的双极型晶体管的基极-发射极电压差（ΔVBE）是

一个正温度系数的电压,而双极型晶体管的VBE则具有负温度系数。如果通过一定

比值的电阻将这两部分电压叠加起来，就可以获得一个零温度系数的基准电压[3]。

负温度系数

式（2）中，VT是热电压，Eg是硅的带隙能量，q为电子电荷，负温度系数本身

就与温度有关，而正温度系数ΔVBE是一个固定值，使得基准电压只在一个点上

能获得零温度系数，为了降低温度对基准电压的影响，需要对该电路进行曲率补偿。

3曲率补偿电路

3.1β倍增器电流源

图1所示为β倍增器补偿电路[4]，在该电路中MP1、MP2、MP3构成电流镜，

MN3工作在线性区，将MN1、MN2之间的差值Vgs加载在MN3上，产生一

个负温度系数的电流，并通过电阻R以电压的形式输出。

图1β倍增器电流源电路

式中A、B为常数，Ni为杂质浓度，μ为迁移率，Cox为栅氧化层电容，w、l为

MOS管尺寸。Vth为阈值电压。联立可得出输出电流I1是一个与载流子迁移率

成正比的函数，而在PMOS中，杂质浓度较低时，BNi/T2/3项可以略去，晶格

散射起主要作用，载流子浓度随着温度的升高而降低[5]。在实验中通过测量MOS

管的最大跨导可以测量出线性区的迁移率随温度升高降低的速度越来越慢[6]。图

2为电流I1流过电阻R产生的电压随温度的变化曲线。

图2电流I1流过电阻R产生的电压随温度变化曲线

3.2IPTAT2电流的产生

图3为IPTAT2电流产生电路[7]，在该电路中MP1、MP2、MP3构成电流镜，

MN1、MN2、MN3工作在亚阈值区，利用MN1、MN2之间的差值Vgs加载

在MN3上，产生一个IPTAT2电流，并通过电阻R，以电压的形式输出。

图3IPTAT2电流产生电路

式中ξ＞1是一个非理想因子，Vt=kT/q，联立可以得出输出电流I是一个与

(ξVt·lnk)2成正比的函数，其中k为常数，故输出电流为图4所示的开口向上的抛

物线。

图4流出电压随温度变化曲线

3.3二次补偿电路

普通基准带隙电压如图5所示，普通带隙基准电压在低温时随温度增加而增加，

而在温度较高时随温度升高而降低，上述两种补偿电路均是电流受温度影响单调变

化的电路，补偿效果较差，若是进行二次补偿，将两种