一种GaN基射频器件及其封装方法 .pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN110534496A

(43)申请公布日2019.12.03

(21)申请号CN201910746367.0

(22)申请日2019.08.13

(71)申请人中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学

地址528400广东省中山市火炬开发区中心城区祥兴路6号212房

(72)发明人王洪周泉斌姚若河陈家乐

(74)专利代理机构广州粤高专利商标代理有限公司

代理人江裕强

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种GaN基射频器件及其封装方法

(57)摘要

本发明公开了一种GaN基射频器件

及封装方法。所述器件包括DFN框架，所

述DFN框架包括基岛、引脚栅极、引脚漏

极和引脚源极，在电极方向上，引脚漏极

位于基岛正面的左上方，引脚源极位于基

岛正面的左下方，引脚栅极位于右下方，

源极和栅极在同一水平线上；所述器件还

包括GaN基射频芯片，GaN基射频芯片通

过导电银浆固定在基岛上，GaN基射频芯

片的内漏极、内源极和内栅极分别通过引

线和DFN框架的引脚漏极、引脚源极和引

脚栅极相应连接，分别作为器件漏极、器

件源极和器件栅极；DFN框架外包裹有塑

封料。所述封装方法选择小型化的DFN框

架，通过塑料封装，使得生产成本降低、

轻薄、加工简单、适合自动化生产，应用

范围广泛。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种GaN基射频器件,其特征在于,包括DFN框架,所述DFN框架包括基岛、引脚

栅极、引脚漏极和引脚源极,在电极方向上,引脚漏极位于基岛正面的左上方,引脚源

极位于基岛正面的左下方,引脚栅极位于基岛正面的右下方,引脚源极和引脚栅极在

同一水平线上;所述器件还包括GaN基射频芯片,GaN基射频芯片通过导电银浆固定

在基岛上,GaN基射频芯片的内漏极、内源极和内栅极分别通过引线和DFN框架的

引脚漏极、引脚源极和引脚栅极相应连接,分别作为器件漏极、器件源极和器件栅

极;DFN框架外包裹有塑封料。

2.根据权利要求1所述的GaN基射频器件,其特征在于,所述基岛为五边形的金属基

岛;GaN基射频芯片位于基岛的正中间。

3.根据权利要求1所述的GaN基射频器件,其特征在于,所述引线为0.8mil~2mil金质

内引线;连接内漏极和引脚漏极的引线的根数为1~8,连接内源极和引脚源极的引线

的根数为2~8,连接内栅极和引脚栅极的引线的根数为1~4。

4.根据权利要求1所述的GaN基射频器件,其特征在于,所述GaN基射频芯片为横向

结构,GaN基射频芯片的区域大小为1200μm×800μm~2200μm×800μm,内漏极位于

GaN基射频芯片上侧,内源极和内栅极位于GaN基射频芯片下侧,在同一水平上交叉

排列,内漏极的个数为1,内源极的个数为2~5,内栅极的个数为1~4,左右两端的内源

极的区域大小为145μm×210μm~350μm×210μm,中间的内源极的区域大小为

270μm×210μm~410μm×210μm,内栅极的区域大小为120μm×110μm~160μm×110μm,

内漏极的区域大小为1200μm×800μm~2200μm×800μm。

5.根据权利要求1所述的GaN基射频器件,其特征在于,DFN框架的区域面积大于

GaN基射频芯片的面积,DFN框架的尺寸为3mm×3mm~5mm×5mm,基岛的面积为

2.2mm×2.6mm~4.2mm×4.6mm。

6.根据权利要求1所述的GaN基射频器件,其特征在于,DFN框架的厚度为

150~200μm,导电银浆的厚度为20μm-40μm,GaN基射频芯片的厚度为200~