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sic碳化硅单晶的生长原理

碳化硅单晶的生长原理可以简单地描述如下：

1.利用高纯度的碳化硅原料，通常采用SiC原料坩埚进行加热

融化处理。

2.在加热过程中，通过控制温度梯度和化学气相传输，使得融

化的碳化硅原料中存在过饱和度。

3.过饱和度使得碳化硅原料在合适的条件下开始形成凝固核心。

这些凝固核心作为生长种子，可以是碳化硅晶体的微小颗粒。

4.通过降低温度和控制化学气相传输使得凝固核心周围的融化

材料逐渐结晶生长，并形成碳化硅单晶。

5.在生长过程中，还需要控制温度、气压和气氛等参数，以确

保单晶的质量和外观。

总的来说，碳化硅单晶的生长原理是通过过饱和度和适当的条

件来控制碳化硅晶体凝固核心的形成，并在凝固核心周围生长

形成单晶。