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（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（10）申请公布号
CN102130259A
（43）申请公布日2011.07.20
（21）申请号CN201110009751.6
（22）申请日2011.01.14
（71）申请人大连美明外延片科技有限公司
地址116025辽宁省大连市高新园区高能街1号
（72）发明人肖志国;常远;王力明;武胜利;高本良;康建
（74）专利代理机构
代理人
（51）Int.CI
H01L33/36;
H01L33/40;
H01L33/00;
权利要求说明书说明书幅图
（54）发明名称
一种发光二极管芯片的复合电极及其制作方法
（57）摘要
本发明属于发光半导体领域，尤其是发光
二极管芯片领域。一种发光二极管芯片的复合电
极，其结构自下而上分别为：欧姆接触金属层、
第一隔离金属层、填充金属层、第二隔离金属
层、表面金属层，其中，第二隔离金属层和表面
金属层覆盖在欧姆接触金属层、第一隔离金属层
和填充金属层的上面和侧面，完全将这三个电极
层包裹在电极内部。本发明还提出了两种复合电
极的制作方法，分别为方法一和方法二。这种复
合电极使用成本廉价的Al、Ag等活泼金属替代电
极中的部分Au，降低了电极的成本，且具有更强
的环境适应能力；经本人多次试验，这两种方法
均可快速有效地制作本发明提出的复合电极，该
制作工艺简单可行、可操作性高，便于规模化生
产。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
2011-07-20公开公开
发明专利申请公布后的视为撤发明专利申请公布后的视为撤
2016-03-30
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权利要求说明书
一种发光二极管芯片的复合电极及其制作方法的权利要求说明书内容是请下载后查看
说明书
一种发光二极管芯片的复合电极及其制作方法的说明书内容是请下载后查看
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