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SiC_f/SiC高温结构吸波复合材料的制备及性能研究随

着超声速巡航导弹、新一代隐身战机等高马赫数飞行器的迅速发展,对飞行器高温部

位的隐身能力提出了更高的要求。SiCsubf/sub/SiC复合材料作为一种极具潜力

的耐高温结构吸波材料,具有高比强度和比模量、高温抗氧化、断裂韧性好、密度低

以及电性能可调等优异特性,但目前国内关于其吸波性能的研究尚处于初步阶段,特

别是高温介电及高温吸波性能的相关报道较少。

本文首先以化学气相渗透工艺（CVI）和先驱体浸渍裂解工艺（PIP）制备了

SiCsubf/sub/SiC复合材料,研究了复合材料及其各组分的室温及高温介电性能

演变规律;在此基础上,通过高温氧化、填料法、低温空气预氧化以及混合工艺对复合

材料的力学性能和高温介电性能进行了调控;根据优化的工艺参数,制备了

SiCsubf/sub/SiC吸波复合材料并测试了其高温吸波性能;通过对比反射率的计

算值与实测值验证了高温复介电常数的适用性,最后讨论了复合材料高温吸波性能的

影响因素。主要的研究内容和结果如下:研究了原始CVI-SiCsubf/sub/SiC复合

材料和高温氧化后复合材料的力学和高温介电性能演变规律。

研究表明:表面富碳的KD-ISiC纤维相较以Si-C-O结构为主的SLFSiC纤维具

,

有较高的电导率和复介电常数两者在10GHz处的复介电常数分别为14.7-j18.6和

,,

2.7-j0.2,KD-l纤维与空气阻抗匹配差而SLF纤维损耗较小两

种纤维的吸波性能均较差;随着温度的升高,KD-I纤维的复介电常数显著增大,SLF纤

维的实部增幅较大而虚部较小,700C时两者的复介电常数分别为20.9-j25.0和5.0-

B

,

j0.37。CVI-SiC基体由结晶度高的-SiC和自由碳组成具

E

,

有较高的电导率和复介电常数室温至700时复介电常数从9.1-j8.5增至

20.0-j22.1,主要是自由碳和高温下SiC热激发载流子形成的电导损耗引起的。

制备的KD-I和SLFSiCsubf/sub/SiC复合材料的复介电常数分别为

C

21.0-j23.0和13.0-j10.0,700时显著增大至35.0-j43.0和25.0-j24.0,室温和高温阻

抗严重失配;700-1000C高温氧化后，复合材料中仍含有大量的SiC和自由碳,复介电

常数的降低程度有限,并且随着温度的升高逐渐增大,但增幅明显减小,高温反射率仍

然很差。高温氧化后复合材料的力学性能严重下降,要使复合材料具有优异的高温吸

波性能,其室温复介电常数必须足够低,CVI法制备的复合材料难以使高温吸波性能

满足要求。

研究了原始PIP-SiCsubf/sub/SiC复合材料和微米

AIsub2v/subOsub3v/sub、纳米SiOsub2/sub填料及低温空气预氧化处

理后复合材料的力学和高温介电性能演变规律。研究表明:PIP-SiC基体由B

-SiC微晶和自由碳组成,制备的SiCsubf/sub/SiC复合材料复介电常数为10.2-

j7.2,且高温复介电常数增幅较大,700C时达到16.0-j14.5。

引入BN界面层后复合材料的弯曲强度从132MPe提高至238MPa并且介电性能

基本无影响。微米Alsub2/subOsub3/sub或纳米SiOsub2/sub填料的

引入能大幅提高SiCsubf/sub/BN/SiC复合材料的浸渍效率,复合材料的弯曲强

度随填料