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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN102842676A
(43)申请公布日2012.12.26
(21)申请号CN201210211088.2
(22)申请日2012.06.25
(71)申请人中国科学院等离子体物理研究所
地址230031安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号
(72)发明人岳文瑾王命泰
(74)专利代理机构安徽合肥华信知识产权代理有限公司
代理人余成俊
(51)Int.CI
H01L51/42
H01L51/48
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
一种基于TiO
(57)摘要
本发明公开了一种基于TiO
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种基于TiOsub2/sub-CuInSsub2/sub异质核壳结构纳米棒阵列的有机/
无机杂化太阳电池，其特征在于：包括有玻璃衬基、作为阳极
的FTO层、TiOsub2/sub-CuInSsub2/sub异质核壳结
构纳米棒阵列、TiOsub2/sub-CuInSsub2/sub异质核壳结构纳米棒的CuI
nSsub2/sub壳层、MEH-PPV膜层、PEDOT:PSS空穴传导层以及
作为电池阴极的Au膜层；所述的FTO层镀在玻璃衬基上作为电
池的阳极，以垂直生长于FTO层之上的TiOsub2/sub-
CuInSsub2/sub异质核壳结构纳米棒阵列作为电池的电子传
输通道，用MEH-PPV为主要的光吸收材料和CuInSsub2/sub壳层为辅
助吸光材料，MEH-PPV填充到TiOsub2/sub-
CuInSsub2/sub异质核壳结构纳米棒的间隙之中，同时在
TiOsub2/sub-CuInSsub2/sub异质核壳结构纳米阵列上方形成MEH-PPV膜
层，在MEH-PPV膜层上沉积PEDOT:PSS作为空穴传导层，在空穴
传导层上沉积Au膜作为电池的阴极。
2.根据权利要求1所述的一种基于TiOsub2/sub-CuInSsub2/sub异质核壳
结构纳米棒阵列的有机/无机杂化太阳电池，其特征在于：FTO
层的厚度为300-500nm，TiOsub2/sub-CuInSsub2/sub
异质核壳结构纳米棒阵列的长度为300-800nm、直径为20-90nm、
棒的数量密度为1-4×10sup2/sup个/μmsup2/sup，CuInSsub2/sub壳层
的厚度为3-20nm，位于TiOsub2/sub-CuInSsub2/sub
异质核壳结构纳米棒阵列上方的MEH-PPV膜层厚度为30-200nm，
PEDOT:PSS层厚度为40-80nm，Au膜厚度为60-120nm。
3.根据权利要求1所述的一种基于TiOsub2/sub-CuInSsub2/sub异质核壳
结
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