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深圳市羽楷科技AP30G06NF 30A 60V N+P PDFN5X6-8L.pdfVIP

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  • 2024-12-14 发布于广东
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深圳市羽楷科技AP30G06NF 30A 60V N+P PDFN5X6-8L.pdf

    AP30G06NF

    60VN+P-ChannelEnhancementModeMOSFET

    Description

    TheAP30G06NFusesadvancedtrenchtechnology

    toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

    operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

    deviceissuitableforuseasaBattery

    protectionorinotherSwitchingapplication.

    GeneralFeatures

    V=60VI36A

    DSD

    RDS(ON)32mΩ@VGS=10V（Type：25mΩ）

    V=-60VI-29A

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