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- 2024-12-14 发布于广东
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AP18G03DF
30VN+P-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP18G03DFusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=30VI18.8A
DSD
RDS(ON)25mΩ@VGS=10V（Type：18mΩ）
V=-30V
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