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- 2024-12-14 发布于广东
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AP12V04S
-40VP+P-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP12V04Susesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=-40VI=-12A
DSD
RDS(ON)18mΩ@VGS=-10V(Type：15mΩ)
Applic
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