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深圳市羽楷科技AP6V03S -7.5A -30V SOP-8L.pdfVIP

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  • 2024-12-14 发布于广东
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深圳市羽楷科技AP6V03S -7.5A -30V SOP-8L.pdf

    AP6V03S

    -30VP+P-ChannelEnhancementModeMOSFET

    Description

    TheAP6V03Susesadvancedtrenchtechnology

    toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

    operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

    deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

    orinotherSwitchingapplication.

    GeneralFeatures

    V=-30VI-7.5A

    DSD

    RDS(ON)40mΩ@VGS=10V（Type：33mΩ）

    App

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