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- 2024-12-14 发布于广东
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AP30V06NF
-60VP+P-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP30V06NFusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=-60VI-30A
DSD
RDS(ON)35mΩ@VGS-10V(Type：28m
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