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- 2024-12-14 发布于广东
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AP6G04LI
40VN+P-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP6G04LIusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=40VI=6.3A
DSD
RDS(ON)37mΩ@VGS=10V（Type：30mΩ）
V=
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