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7.3.1静态随机存储器(SRAM)图7.3.21024?4位RAM(2114)的结构框图*7.3.1静态随机存储器(SRAM)二、SRAM静态存储单元无论读出还是写入操作,都必须使行选线X和列选线Y同时为“1”.RS锁存器PMOS管*7.3.2*动态随机存储器(DRAM)动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理。四管DRAM三管DRAM单管DRAM*7.4存储器容量的扩展7.4.1位扩展方式适用于每片RAM、ROM字数够用而位数不够时例:用八片1024x1位→1024x8位的RAM接法:将各片的地址线、读写线、片选线并联即可*7.4.2字扩展方式适用于每片RAM、ROM位数够用而字数不够时1024x8RAM例:用四片256x8位→1024x8位RAM*0001110110111011011111107.4.2字扩展方式(2)(3)(4)*7.4.2字扩展方式*7.5用存储器实现组合逻辑函数一、基本原理从ROM的数据表可见:若以地址线为输入变量,则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数地址数据A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110A0~An-1W0W(2n-1)*二、举例7.5用存储器实现组合逻辑函数*7.5用存储器实现组合逻辑函数*1.掌握只读存储器和随机存储器的特点2.掌握只读存储器的基本结构及四种只读存储器的特点(固定ROM、PROM、EPROM、E2PROM)3.掌握随机存储器的基本结构和SRAM、DRAM的存储机理4.熟练掌握存储器的容量计算和容量的扩展5.熟练掌握用存储器实现组合逻辑函数的方法第7章小结*第7章半导体存储器7.1概述7.2只读存储器(ROM)7.3随机存储器(RAM)7.4存储器容量的扩展7.5用存储器实现组合逻辑函数*7.1概述一、概念半导体存储器是一种能存储大量二值数字信息的半导体器件,是现代数字系统特别是计算机中的重要组成部分。输入/出电路I/O输入/出控制!单元数庞大!输入/输出引脚数目有限一般结构形式*7.1概述半导体存储器只读存储器ROMUVEPROMFlashMemoryE2PROM固定ROM(又称掩膜ROM)可编程ROM(PROM)随机存储器RAM静态RAM(SRAM)动态RAM(DRAM)1、按存/取功能分:二、分类(Read-Only-Memory)可擦除的可编程ROM(EPROM)(Random-Access-Memory)2、按工艺分:双极型MOS型*②缺点:在正常工作状态下,只能读出而不能写入数据,只适用于存储固定数据的场合。只读存储器(ROM)的特点:①优点:电路结构简单,断电后数据不丢失。随机存储器(RAM)的特点:①优点:在正常工作状态下,可随时读出或写入数据,使用灵活;②缺点:断电后存储的数据随之消失,具有易失性。7.1概述*7.2只读存储器(ROM)②断电后数据不丢失。特点:①在正常工作状态下,只能读出而不能写入数据。UVEPROM—紫外线擦除E2PROM—电擦除固定ROM(又称掩膜ROM)—用户不可编程可编程ROM(PROM)—用户可编程一次可擦除的可编程ROM(EPROM)—用户可多次编程FlashMemory—不需要使用编程器需要使用编程器EPROM*7.2.1掩膜(固定)只读存储器一.ROM的基本结构ROM主要由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器三部分组成,其基本结构如图所示。7.2只读存储器(ROM)*ROM的基本结构字线位线(数据线)地址(n位)7.2.1掩膜(固定)只读存储器1.存储矩阵:由许多二极管、双极型三极管或者MOS管构成的存储单元排列而成。每个存储单元可存储1位二值信息(“0”或“1”)。*ROM的基本结构字线位线(数据线)2.地址译码器:将输入地址译成相应的控制信号,从存储矩阵中将指
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