《数字电子技术基础》第3章 门电路-教学课件（非AI生成）.ppt

2.或非门3.与或非门3.5.5其他类型的TTL门电路*4.异或门3.5.5其他类型的TTL门电路*1、推拉式输出电路结构的局限性①输出电平不可调②不能提供较大驱动电流给负载，尤其是高电平输出③输出端不能并联使用OC门3.5.5其他类型的TTL门电路二、集电极开路的门电路（OC门）*3.5.5其他类型的TTL门电路二、集电极开路的门电路（OC门）2、OC门的结构特点*OC门实现的线与3.5.5其他类型的TTL门电路*3、外接负载电阻RL的计算3.5.5其他类型的TTL门电路VO=VOHVO=VOL*三、三态输出门（TS）3.5.5其他类型的TTL门电路*一、高速系列74H/54H（High-SpeedTTL）电路的改进(1)输出级采用复合管（减小输出电阻Ro）(2)减少各电阻值2.性能特点速度提高的同时功耗也增加3.5.6TTL数字集成电路的各种系列*二、肖特基系列74S/54S（SchottkyTTL）电路改进采用抗饱和三极管用有源泄放电路代替74H系列中的R3减小电阻值2.性能特点速度进一步提高，电压传输特性没有线性区，功耗增大3.5.6TTL数字集成电路的各种系列*三、低功耗肖特基系列 74LS/54LS（Low-PowerSchottkyTTL）四、改进系列74AS,74ALS（AdvancedLow-PowerSchottkyTTL）见138页表3.5.13.6其他类型的双极型数字集成电路*ECL：非饱和逻辑，速度快，用于高速系统I2L：属饱和逻辑，电路简单，可在低压、微流下工作，用于LSI内部电路3.5.6TTL数字集成电路的各种系列在使用时要注意的主要参数:电源电压、输入/输出特性参数（高/低电平电压和电流）、传输延迟时间、功耗。*电路类型电源电压/V传输延迟时间/ns静态功耗/mW功耗－延迟积/mW-ns直流噪声容限输出逻辑摆幅/VVNL/VVNH/VTTLCT54/74＋510151501.22.23.5CT54LS/74LS＋57.52150.40.53.5HTL＋158530255077.513ECLCE10K系列－5.2225500.1550.1250.8CE100K系列－4.50.7540300.1350.1300.8CMOSVDD=5V＋5455×10－3225×10－32.23.45VDD=15V＋151215×10－3180×10－36.59.015高速CMOS＋581×10－38×10－31.01.55表3-5-3各类数字集成电路主要性能参数比较表各类数字集成电路主要性能参数的比较（106页、138页）*带缓冲级的CMOS门2.解决方法﹡由与非门、或非门和反相器可构成各种逻辑功能的门电路。3.3.5其他类型的CMOS门电路*二、漏极开路的门电路（OD门）3.3.5其他类型的CMOS门电路互补输出电路结构的局限性①输出电平不可调②输出端不能并联使用OD门10*二、漏极开路的门电路（OD门）注意：OD门使用时，必须外接负载电阻和电源。3.3.5其他类型的CMOS门电路OD输出与非门74HC03*OD门的应用①可将输出并联使用，实现“线与”。可以简化电路，节省器件。3.3.5其他类型的CMOS门电路*OD门的应用①实现线与。可以简化电路，节省器件。②实现电平转换。如图所示，可使输出高电平变为10V。③能吸收大负载电流，可用做驱动器。如图是用来驱动发光二极管的电路。3.3.5其他类型的CMOS门电路*﹡外接负载电阻RL的计算3.5.5其他类型的TTL门电路VO=VOHVO=VOL*三、CMOS传输门由于T1、T2管的结构形式是对称的，即漏极和源极可互易使用，因而CMOS传输门属于双向器件，它的输入端和输出端也可互易使用。3.3.5其他类型的CMOS门电路①C＝0、，TN和TP截止，相当于开关断开,输出高祖态。②C＝