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单片机模拟题（附参考答案）

一、单选题（共107题，每题1分，共107分）

1.累加器A的内容是0FEH，执行RRA指令后累加器的内容变为()。

A、0FF

B、0FD

C、80

D、7FH

正确答案：D

2.下列芯片中属于单片机的芯片是()。

A、AT89C52

B、8155

C、Z80

D、80486

正确答案：A

3.对于MCS-51单片机来说，一个时钟周期是由()个振荡周期构成。

A、1

B、2

C、4

D、6

正确答案：B

4.8031单片机的RST引脚除了做为复位信号输入端外，还做为()的输入端。

A、时钟信号

B、读写信号

C、备用电源

D、振荡信号

正确答案：C

5.在进行串行通信时，若两机的发送与接收可以同时进行，则称为()模式。

A、广播

B、全双工

C、单工

D、半双工

正确答案：B

6.8051单片机的外部中断INT0和INT1的触发方式有()种。

A、3

B、2

C、4

D、1

正确答案：B

7.上电复位后，8051单片机P3口的值是()。

A、0FF

B、不确定

C、00

D、80

正确答案：A

8.MCS-51单片机复位后定时器方式控制寄存器TMOD的值是()。

A、00

B、0FF

C、80

D、11

正确答案：A

9.累加器A的内容是16H，执行SWAPA指令后累加器的内容变为()。

A、01

B、06

C、60

D、61H

正确答案：D

10.下列芯片中属于单片机的芯片是()。

A、8086

B、89C51

C、80486

D、80286

正确答案：B

11.累加器A的内容是0CAH，执行RLCA指令后累加器的内容变为()。

A、90

B、95

C、65

D、不确定

正确答案：D

12.累加器A的内容是61H，执行RLA指令后累加器的内容变为()。

A、0C2

B、0B0

C、30

D、31H

正确答案：A

13.MCS-51单片机指令DJNZR0，rel，其转移范围是()。

A、-128~+128

B、-126~+129

C、-130~+125

D、-128~+127

正确答案：D

14.ROM的中文含义是()。

A、只读存储器

B、可擦除可编程存储器

C、可擦除存储器

D、随机存储器

正确答案：A

15.SRAM的中文含义是()。

A、随机存储器

B、静态随机存储器

C、动态随机存储器

D、只读除存储器

正确答案：B

16.SRAM的中文含义是()。

A、静态随机存储器

B、随机存储器

C、只读除存储器

D、可读写存储器

正确答案：A

17.累加器A的内容是9BH，执行RRCA指令后累加器的内容变为()。

A、37

B、30

C、0C0

D、不确定

正确答案：D

18.在51系列单片机应用系统中启动ADC0809进行A/D转换时，使用()指令。

A、MOVX

B、（B）MOVX

C、MOV

D、MOV

E、A,@A+DPTR

正确答案：A

19.8051单片机的RST引脚通过一个()与单片机复位电路相连。

A、分频器

B、D触发器

C、单稳触发器

D、施密特触发器

正确答案：D

20.MCS-51单片机复位后程序计数器PC＝()。

A、0FFFF

B、2000

C、0100

D、0000H

正确答案：D

21.8051与8751的区别是：()。

A、内部的寄存器的数目不同

B、内部程序存储器的类型不同

C、内部数据存储单元数目的不同

D、有无内部程序存储器

正确答案：B

22.8051单片机的串行接口具有()种工作方式。

A、3

B、4

C、2

D、5

正确答案：B

23.8051单片机的P2口可以驱动()个LSTTL负载。

A、2

B、16

C、4

D、8

正确答案：C

24.对于MCS-51单片机来说，一个机器周期是由()个状态周期构成。

A、1

B、2

C、4

D、6

正确答案：D

25.AT89C1051单片机的字长是()位。

A、4

B、8

C、16

D、32

正确答案：B

26.在8051单片机中，当RS1和RS0的值为01B时工作寄存器位于内部RAM的()区域内。

A、00-07

B、08H-0F

C、10H-17

D、18H-1FH

正确答案：B

27.8051单片机的工作频率为12MHz，其内部定时器的最大定时时间是()。

A、8192μS

B、65536μS

C、131072μS

D、256μS

正确答案：B

28.51单片机执行MOVXA,@DPTR指令时，相关的信号状态是()。

A、PSEN无效为低电平，RD有效为低电平

B、PSEN无效为高电平，RD有效为低电平

C、PSEN有效为低电平，RD无效为高电