《MOS存储器系统》课件.pptVIP

*****************MOS存储器的特点体积小MOS存储器体积小巧，可集成在集成电路中，方便集成到其他电子系统中。速度快MOS存储器访问速度快，可以满足现代电子设备高速处理数据的需求。功耗低MOS存储器工作时的功耗低，可以节省能源，延长设备的使用时间。成本低MOS存储器生产成本低，可以降低电子设备的生产成本。MOS存储器的分类按存储介质分类MOS存储器根据存储介质的不同可分为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）。按读写方式分类MOS存储器根据读写方式的不同可分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。按结构分类MOS存储器根据结构的不同可分为单管存储单元和双管存储单元。按用途分类MOS存储器根据用途的不同可分为高速缓存存储器（Cache）、主存储器和外存储器。单管MOS存储单元单管MOS存储单元是最基本的存储单元，它由一个MOS管和一个电容组成。MOS管作为开关，控制着电容的充放电，而电容则用来存储数据。当MOS管导通时，数据被写入电容；当MOS管截止时，数据被存储在电容中。单管MOS存储单元简单，易于制造，但是容量有限，而且易受噪声影响。单管存储单元的工作原理写入操作当写入数据时，将要写入的数据通过数据线写入到存储单元，同时将地址线设置为要写入单元的地址。写使能信号WS为低电平，使存储单元处于可写入状态。写入数据通过MOS管的导通路径被写入存储单元。读取操作当读取数据时，将地址线设置为要读取单元的地址。读使能信号RS为低电平，使存储单元处于可读取状态。存储单元中的数据通过MOS管的导通路径被读取到数据线上。读写操作读写操作是通过对读使能信号RS和写使能信号WS的控制来实现的。当RS为低电平、WS为高电平时，进行读取操作；当RS为高电平、WS为低电平时，进行写入操作。DRAM存储单元的结构存储晶体管DRAM存储单元的核心是单个晶体管，用于存储数据。每个晶体管对应一个存储位。电容存储数据使用电容，用于存储电荷。电容的大小决定了存储单元的容量。选择线每个存储单元连接选择线，用于控制单元的访问和读写操作。DRAM存储单元的工作原理DRAM存储单元的工作原理基于电容的充放电过程，其工作原理如下：1写入通过向存储单元的位线施加电压，使存储单元的电容充电，从而存储数据。2保持存储单元中的电容会逐渐放电，因此需要定期刷新，以保持数据。3读取通过读取存储单元的位线电压，判断电容是否带电，从而判断数据。DRAM存储单元结构简单，成本低廉，但由于电容会逐渐放电，因此需要定期刷新，以保持数据。SRAM存储单元的结构SRAM存储单元由六个晶体管构成，包括两个反相器和两个开关管。反相器构成基本存储电路，两个开关管负责控制数据读写。每个反相器包含一个NMOS管和一个PMOS管，它们共同构成一个反相器。其中，NMOS管的栅极连接到数据线，PMOS管的栅极连接到字线。SRAM存储单元的工作原理1读操作当读地址信号有效时，选择相应的存储单元，数据从该单元的输出端输出。2写操作当写地址信号有效时，选择相应的存储单元，数据被写入到单元的输入端。3数据保持SRAM通过内部锁存器来保存数据，无需刷新。SRAM存储单元工作原理基于锁存器，利用锁存器的状态来保存数据。通过控制信号来选择读写操作，并保证数据在存储单元中保持稳定。静态随机存储器(SRAM)存储单元结构SRAM存储单元由6个晶体管组成，通过晶体管的导通或截止状态来表示数据“1”或“0”。存储原理SRAM存储单元中，数据通过晶体管的导通或截止状态来保存，不需要刷新，数据可以长时间保存。优点SRAM速度快，读写速度比DRAM高，并且访问时间短，数据保持时间长。缺点SRAM集成度低，成本高，功耗大，存储容量远不如DRAM，使用范围相对较小。动态随机存储器(DRAM)高速数据读取速度快，能够满足现代计算机系统对数据访问速度的要求。高密度单个芯片上可以存储大量数据，有效降低了系统成本。低成本相比于SRAM，DRAM的制作成本更低，更加经济实惠。DRAM的刷新机制1电容泄漏DRAM存储单元使用电容存储数据，但电容会随着时间推移而泄漏电荷，导致数据丢失。2刷新周期为了防止数据丢失，需要定期对DRAM进行刷新，即重新写入数据到电容中。3刷新操作刷新操作通常是通过周期性地读取并重新写入存储单元的内容来实现的。DRAM的读写工作过程1读操作首先，将要读取的数据的地址信息写入到DRAM的地址线，然后，向DRAM发送读命令。DRAM根据地址信息找到对应的数据单元，并将其数据写入到数据线，最