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AP180P03NF
-30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP180P03NFusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=-30VI-180A
DSD
RDS(ON)2.5mΩ@VGS-10V（Type：2.0mΩ）
Application
Lithiumbatteryprotection
Wirelessimpact
Mobilephonefastcharging
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP180P03NFPDFN5*6-8LAP180P03NFXXXYYYY800
AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)
SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-SourceVoltage-30V
VGSGate-SourceVoltage±20V
ID@TC=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-10V1-180A
ID@TC=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-10V1-155A
IDMPulsedDrainCurrent2-540A
EASSinglePulseAvalancheEnergy3650mJ
IASAvalancheCurrent-70A
PD@TC=25℃
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