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AP20N06BD
60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP20N06BDusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=60VI20A
DSD
RDS(ON)42mΩ@VGS=10V（Type：36mΩ）
Application
LEDlamp
Loadswitch
Uninterruptiblepowersupply
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP20N06BDTO-252-3LAP20N06BDXXXYYYY2500
o
AbsoluteMaximumRatings@T=25C(unlessotherwisespecified)
j
SymbolParameterMax.Units
VDSSDrain-SourceVoltage60V
VGSSGate-SourceVoltage±20V
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V120A
DC
I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V111.8A
DC
IDMPulsedDrainCurrent60A
IASAvalancheCurrent9.8A
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