高纯度半导体特性碳纳米管的制备及场效应晶体管性能.docx

高纯度半导体特性碳纳米管的制备及场效应晶体管性能研究

1绪论

研究背景与意义

自20世纪80年代起，有关碳元素的各种同素异形体例如石墨烯,C60(富勒烯)，直链乙炔碳，碳纳米管等物质被陆续发现，与此同时人们也逐渐注意到了他们自身独特的物理、化学和机械性质。这些性质决定了他们不同的电学、光学和力学等性能。为了更好地运用纳米碳材料的这些出色性能，人们掀起了对纳米碳材料的研发热潮。而其中，单壁碳纳米管以其优异的性能，被认为是一种具有巨大潜力的新型材料。因此单壁碳纳米管被广泛地应用于电子器件等领域，近年来基于单壁碳纳米管的场效应晶体管的制作和性能研究备受关注。

1991年日本NEC公司基础研究实验室